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第 29卷 第 4期 真 空 科 学 与 技 术 学 报 2009年 7、8月 CHINESEJ0URNAL0FVACUUM S(：ⅡNCEANDTEC}玎0 )GY 423 不同衬底温度下预沉积 Ge对 SiC薄膜生长的影响 刘忠良 唐 军 任 鹏 刘 科 徐彭寿 潘 国强 (中国科学技术大学国家同步辐射实验室 合肥 230029) GeDepositedatDifferentSubstrateTemperaturesand ItsImpactonSiC FilmsGrowth LiuZhongliang，TangJun，RenPeng，UuKe，XuPengshou ，Pna Guoqiang (NationalSynchrotronRadiationLaboratory，UniversityofScienceandTeclmologyofCh／na， 230029，Cha／a) Abstract TheSiCfilmsweregrownbysolidsourcemolecularbeamexpitaxy(SSMBE)onsubstratesofSiandSi withaGelayer，pre—depositedatdifferenttemperatures(300、500and700％：)．Themicrostmcturesnadpropertiesofhte SiCfilmswerecharacterizedwihtreflectionhighenergyelectrondiffraction(RHEED)，X—mydiffraction(XRD)，atomic forcemicmscopy(AFM)，nadFouriertransofrminfraredspectroscopy(FHR)．TheimpactofGelayeronSiCproperties wasstudied．Th eresultsshowhtathteGelayernaditsgrowthtemperaturestronglymiprovehtepropertiesofSiCfilms．In— terestingfindingisthatahigherGegro~xhtemperatureresults inabettercrystalstructure．Possiblemechanismswerealso tentativelydiscussed． Keywords Ge，SiC，Reflcetionhihg energyelectrondiffraction(RHEED)，Solidsourcemoleculrabema epitaxy， Predepositiontemperature 摘要 分别在未沉积 Ge和不同衬底温度 (300、500、700~C)沉积Ge条件下，利用固源分子束外延(SSMBE)技术在 si衬底 上外延 SiC薄膜。通过反射式高能电子衍射 (RHEED)、X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和傅里叶变换红外光谱 (FHR) 等仪器对样品进行测试。测试结果表明，预沉积Ge的样品质量明显好于未沉积 ce的样 品，而且随着预沉积温度的升高，薄 膜的质量在逐渐地变好。 关键词 锗 碳化硅 反射高能电子衍射 固源分子束外延 预沉积温度 中图分类号：o484 TN304 文献标识码 ：A doi：10．3969／j．i艘1．1672-7126．2O09．04．16 SiC作为第三代宽带隙半导体材料，因其优异 电学、光学性质，因而避免孔洞的形成是硅衬底上异 的性能受到世人关注，例如：宽的禁带宽度、高的迁 质外延生长碳化硅 的技术关键。通过优化 Si／C比 移率、优异的热稳定和化学稳定性，在大功率、耐高 可以在一定程度上减少孔洞的形成_8J。近几年，人 温、耐辐射及蓝光器件等领域 中有广泛应用的前 们尝试在生长 SiC薄膜前预沉积 Ge，以此来缓解薄 景_lI3J