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半导体器件与工艺PPT
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(2)共射极直流电流放大系数
共发射极电路是用 去控制 以实现电流放大的。
;晶体管电流放大系数和电流放大能力
(3) 与 的关系
;晶体管电流放大系数和电流放大能力
(4)晶体管具有放大能力所满足的条件(以NPN管为例)
① 发射区高掺杂,能发射大量电子;
② 基区低掺杂且基区宽度窄,减少电子的复合损失;
③ 发射结正向偏置,发射电子;
④ 集射结反向偏置,收集电子。
;晶体管的直流电流放大系数;晶体管的直流电流放大系数;晶体管的直流电流放大系数;晶体管的直流电流放大系数;晶体管的直流电流放大系数;晶体管的直流电流放大系数;
① 提高发射区掺杂浓度,增大正向注入电流;
② 减小基区宽度,减少复合电流;
③ 提高基区杂质分布梯度,以提高电场因子;
④ 提高基区载流子寿命和迁移率,以增大载流子的扩散长度。
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