2ICMEMS分析测试技术_SITRI.PDF

IC MEMS分析测试技术 张文燕 @ 北京 上海微技术工业研究院(SITRI) July 2015 内容  ICMEMS分析技术  ICMEMS测试技术  测试分析案例 2 ICMEMS分析 概念 设计 中试 生产 封装 终测 市场 技术分析 失效分析 技术分析 调研技术可靠性 知识产权的应用 了解竞品技术和成本，明确市场定位 教学与新工程师培训 失效分析 发现失效MEMS的故障 分析失效原因 ，找到影响良率的关键因素 3 ICMEMS分析技术 样品信息 检测分析 非破坏性 破坏性 综合分析 分析报告 分析整理 方案制定 检测分析 检测分析 非破坏性分析 破坏性分析 图像采集 材料分析 •X-RAY •去封装 •OM •能谱仪EDS •超声波扫描显微镜 •截面分析 •SEM •拉曼光谱 • IR （半破坏性） •化学染色 •TEM •红外光谱 4 非破坏性检测分析 X-RAY 气泡 错位 用途 检测封装内部的工艺缺陷和结构分析 优点 快速、直观、无损检测 封装缺陷检测 封装结构分析 缺点 无法观察器件内部结构和缺陷 最小缺陷识别能力大于2um 连锡 少球 超声波扫描显微镜SAM 用途 检测器件/材料内部的缺陷位置、大小和分布状态 优点 无损检测，对粘结层面敏感 能检测出气孔、裂纹、夹杂和分层等缺陷 能穿透大多数材料，对人体无害 缺点 需要液体进行超声波传输 很难检测数表面粗糙或者内部有很多气泡的样品 IR显微镜 用途适用于晶圆级的非破坏检查以及带有Silicon Cap 的MEMS器件内部结构观察 优点非破坏性检测(适用于晶圆级，对已封装的需要去封装） 可选用不同波长进行观察（800nm到20μm） 缺点 由红外光波长导致只能观察类似玻璃的材料 精确度有限，尺寸测量在微米级，放大倍率最大1000x 55 破坏性分析_去封装 IC去封装方法 IC去封装方法 去封装方法 设备 适用类型