实验一 MOS管特性分析.ppt

MOS管特性分析 计算机学院 甘波 1、提交手工计算、绘图(Visio)结果。必须对 结果进行分析。 2、提交仿真sp文件、仿真结果截图。对比1的 结果，观察是否一致，若不一致说明原因。 3、提交的实验报告要求是word或pdf文件。 作业要求 无说明情况下,实验采用下面给出的MODEL: MODEL NMOS LEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1 TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11 MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9 JS=1.0e-8 PMOS LEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8 NSUB=5e+14 LD=0.09e-6 U0=100 LAMBDA=0.2 TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11 MJ=0.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9 JS=0.5e-8 VTO VSB=0时的阈值电压 GAMMA 体效应系数 PHI 2ɸ F TOX 栅氧厚度 NSUB 衬底掺杂浓度 LD 源/漏侧扩散长度 UO 沟道迁移率 LAMBDA 沟道长度调制系数 MODEL CJ 单位面积的源/漏结电容 CJSW 单位长度的源/漏侧壁结电容 PB 源/漏结内建电势 MJ CJ公式中的幂指数 MJSW CJSW公式中的幂指数 CGDO 单位宽度的栅-漏交叠电容 CGSO 单位宽度的栅-源交叠电容 JS 源/漏结单位面积的漏电流 MODEL .MODEL NMOS NMOS() 建立model，第一个NMOS为model name；第二个NMOS为model 类型 ；()内注明各参数的值 。 DC V(n) 0 3.3V 0.05V 直流分析，对节点n的电位进行扫描，最小为0V，步进0.05V，最大3.3V 。 .DC V(n) 0 3.3V 0.05V sweep V(m) 0 3V 0.5V 直流分析，对节点n的电位进行扫描，最小为0V，步进0.05V，最大3.3V ；同时对M点电位扫描，得出7条曲线。 .Tran 10us 5ms *执行5ms的瞬态分析，计算时间间隔10us，也即每10us给出一个仿真数值。整个瞬态曲线由 500个点组成。 .IC V(n)=3V 规定n节点的初始电压为3V。 .Tran 10us 5ms UIC 在规定的初始条件下进行瞬态分析。 用到的命令格式 **************model NMOS************************ .MODEL NMOS NMOS ( +LEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 +NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1 +TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11 +MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9 JS=1.0e-8) **************model PMOS************************ .MODEL PMOS PMOS ( +LEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8 +NSUB=5e+14 LD=0.09e-6 U0=100 LAMBDA=0.2 +TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11 +MJ=0.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9 JS=0.5e-8) *************************************************** 示例 MOS管IV 特性分析 **************netlist***************************** M1 DN GN SN BN NMOS W=1u L=0.5u M2 DP GP SP BP PMOS W=1u L=0.5u **************source*********