MOS管1121.ppt

1.MOS分类 2.MOS的结构 3.MOS的工作原理 4.MOS的参数 5.MOS门电路 MOS管 1 MOS分类 1.JFET利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而控制漏极电流的大小。 2.IGFET绝缘栅极场效应管利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底 2.MOS管的结构——场效应管（单极性） 工作原理： N沟道：当UGS 大于导通电压时，D-S极导通； P沟道：当UGS 小于导通电压0时，D-S极导通； 等效电路 OFF ，截止状态 ON，导通状态 4.MOS管的基本开关电路 5.CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 电路形成“上下对称”的组合形式； T1为P型MOS管，导通输入电压 UI小于电源电压VDD T2为N型MOS管，导通输入电压 UI大于0 工作时， 随着不同的UI的输入， T1管和T2管轮流导通， 形成与输入电压反相的输出电压。 电压、电流传输特性 电路特征： （1）2管轮流导通，仅在“转换”瞬间有电流流过，故静态之ID = 0 （2）高低电平分别为： 输入：UIL =0； UIH = VDD(电源电压) 输出：UOL =0； UOH = VDD(电源电压) 阈值电压： UTH = 0.5 VDD （3）门电路种类：与非门、或非门、OD门、三态门、传输/控制门等。 输入噪声容限 四、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 2.或非门 带缓冲级的CMOS门 1、与非门 2.解决方法——输入端加上带缓冲级的CMOS门 五、漏极开路的门电路（OD门） 3. 使用注意事项： （1）关于电源电压 A. CMOS电路的电源的极性不可反接，否则，会 造成电路永久性损坏； B. 4000型CMOS系列的电源电压在3~15V范围 选择，最大不超过18V； C. 电压越高，抗干扰性越好； D. 高速CMOS电路HC系列的电源电压在 2~6V 范围选择，HCT系列的电源在4.5~5.5V范围 选择，最大不超过7V； E. 电路工作时，应先接入直流电源，后接其它信 号源；结束时，应先关闭信号源，再切断电源。 3. 使用注意事项： （2）闲置输入端的处理 A. 不用的输入端不允许悬空设置； B. 对“与非门”电路，闲置输入端应接电源或高电平；对“或门”、“或非门”，闲置端应接“地”或低电平； C. 闲置输入端不宜与使用输入端并联使用，这样会增大输入电容使电路的工作速度下降，但在“低速”工作状态，可以使用。 3. 使用注意事项： （3）输出端的连接 A. 输出端不允许直接与电源或地线相连；这样会使输出管（NMOS管或PMOS管）电流过大而烧毁； B. 为提高输出电路的“驱动能力”， 可将同一个集成芯片上的输入、 输出端并联使用（如左图）。 Y 3. 使用注意事项： （4）其它事项 A. 焊接时，电烙铁必须接地良好，也可将其电源拔掉，用其余热焊接； B. 在存放和运输中，应放在导电容器或金属容器中，不能放在容易产生静电高压的化工和纤维材料环境中； C. 组装和使用时，应使所有仪表、工作台等有良好接地。