第一章 半导体器件知识(张龙兴第二版).doc

《半导体器件的基础知识》 一、填空： 半导体的导电能力随着_______________、______________、__________________和__________________条件的不同而发生很大的变化，其中，提高半导体导电能力最有效的办法是_________________________。 ______________叫本征半导体。 半导体可分为________型半导体和________型半导体，前者_________是多子， _________是少子。 PN结加_________________时导通，加_________________时截止，这种特性称为______________性。 PN结的反向击穿可分为________击穿和________击穿，当发生________击穿时，反向电压撤除后，PN结不能恢复单向导电性。 由于管芯结构的不同，二极管可分为_______接触型、_______接触型、_______接触型三种，其中_______接触型的二极管PN结面积______，适宜半导体在高频检波电路和开关电路，也可以作小电流整流，面接触型和平面型二极管PN结接触面______，载流量_______，适于在_________电路中使用。2AP属于_______接触型，2CP属于_______接触型。二极管的两个主要参数是__________________和________________，使用时不能超过，否则会损坏二极管。 在一定的范围内，反向漏电流与反加的反向电压____________，但随着温度的上升而___________，反向饱和电流越大，管子的性能就越________。 硅二极管的死区电压为_______V，锗二极管的死区电压为_______V。 三极管起放大作用的外部条件是_____________________________________________。 10、晶体三极管具有电流放大作用的实质是利用_______电流实现对________电流的控制。 11、3DG8D表示___________________________________； 3AX31E表示___________________________________。 三极管的恒流特性表现在_____________区，在饱和区，VCE____VBE, 三极管失去________作用，集电结、发射结均_______偏。 集---射击穿电压V（BR）CEO是指________________时集电极和发射极间所承受的最大反向电压，使用时，集电极电源电压应________这个数值。 三极管的三种基本联结方式可分为__________________，____________和_______________，其中，电压放大倍数小于1的是________________，输入电阻最大的是_____________、最小的是_______________，既能放大电压也能放大电流的是_______________，只能放大电流，但不能放大电压的是_______________。 温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将________，输出特性曲线将________，而且输出特性曲线之间的间隔将________。 晶体三极管三个极限参数分别为____________、____________、和______________。 硅管的饱和压降为______，锗管饱和压降为______。 半导体中，自由电子带_____电，空穴带_____电。 晶体管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管_____，所以硅晶体管的__________比锗晶体管好。 场效应管从结构上分为_____________和______________两大类，因导电类型的不同可分为________和_______两大类。它们的导电能力仅取决于_________载流子，所以场效应管又称为单极型三极管。 N沟道增强型的开启电压VT一定是______值。 结型场效应管是利用________电压来影响导电沟道，从而控制电流的大小，绝缘栅型场效应管的栅极电流IG=_______，输入电阻______。 场效应管和普通三极管一样，可以看作是一种受控________源，它是一种___________控制型的____________源。 场效应管的突出优点是_____________高，不足之处是__________低。 二、是非题 （对的打√ ，错的打 ） 1、在半导体内部，电子和空穴都是载流子-------------------------------------------------------（ ） 2、在P型半导