Lab 7 MOS管版图设计.doc

Lab 7 MOS管版图设计 实验目的 1.1 掌握MOS管版图设计规则 1.2 熟悉LSW设计环境 1.3 学会MOS管版图设计方法 实验原理 MOS管单元版图设计是整个版图设计的基础。根据工艺文件提供的版图设计规则，可以以几何绘图的方式完成版图设计。在具体设计版图之前，首先是准备工作：在library manager中建立nmos版图视图，打开virtuoso layout editing窗口与LSW窗口，熟悉两窗口中菜单命令，建立工艺库所需的版图层次及其显示属性，设置版图设计环境下的盲键等。以上工作在lab6中已经完成设置，下面以给定的设计规则为依据，进行nmos等单元版图设计。 实验内容 设计nmos版图（版图如图7.1所示） 图7.1 nmos版图 图7.2 pmos版图 nmos设计规则 ndiff过覆盖contact 0.9u 最小contact宽度 0.6u contact间距 0.6u contact与栅间距 0.6u poly超出ndiff 0.6u metal过覆盖contact 0.4u width为3.6u length为0.6u 注意：⑦与⑧所限定的器件尺寸不属于设计规则，在此列出仅为设计方便。 创建nmos视图 在CIW中，选择File→Open，参数设置如下： Library Name design Cell Name nmos View Name layout 点击OK，打开design的空白窗口，以下编辑将实现nmos版图结构如图所示。 在LSW窗口中，选择poly drawing作为当前编辑层。 选择Create→Path或按盲键[p]，来绘制多晶硅栅体。 在design窗口中，点击LMB，从坐标原点x＝0、y＝0到x＝0、y＝4.8连线poly，之后双击LMB或按Return（Enter）键，完成栅体绘制。 在LSW窗口中，选择ndiff drawing层为当前编辑层，选择Create→Rectangle或按盲键[r]，用以绘制扩散区。 在design窗口中，选择不在同一直线的任意两点，点击LMB形成矩形扩散区，矩形形状可在后续操作中调整。 调整ndiff与poly path 选择Window→Create Ruler或按盲键[k]，在设计窗口中加入Ruler，以便精确控制版图尺寸。 按Return键或点击LMB完成Ruler的添加，可选择Window→Clear All Rulers 或按盲键[K]，删除添加的Ruler。 选择Edit→Stretch或按盲键[s]，在设计窗口中，使用LMB选择需要调整的目标或目标的一部分，选择后以高亮显示，拖动鼠标至合适位置后释放，完成目标大小的调整。 注意：调整path时，确保只有path的中线高亮显示，否则，有可能将path的宽度也进行了调整。 绘制Source与Drain 在LSW窗口中，选择matal1作为当前编辑层，选择Create→Rectangle或按盲键[r]，绘制一个矩形，用以源区金属连接。 在LSW窗口中，选择contact dg作为当前编辑层，选择Create→Rectangle或按盲键[r]，绘制两个正方形，作为源区接触孔。 按照设计规则，调整contacts与metal1的位置。 同时选择contacts与metal1（选择一个目标后按Shift键，继续选择其它目标，操作与Windows系统相同），选择Edit→Copy或按盲键[c]，因为mos器件的对称性，可通过拷贝完成漏区的绘制。 点击高亮显示的被选目标实现拷贝，在空白处点击LMB实现粘贴。 按照设计规则，利用Ruler和Stretch调整版图尺寸。 选择Options→Display或按盲键[e]，点亮Axes，选择Edit→Move或按盲键[m]。 选择所有nmos版图的组件，点击选中并放置到合适位置。 完成绘制后，选择Design→Save并关闭窗口。 设计pmos版图（版图如图7.2所示） 注意：由于mos器件尺寸与制造工艺的对称性，可以从nmos出发，通过改变器件尺寸与工艺的方法，相对简单地绘制出pmos。当然，也可从基本设计规则出发，与绘制nmos一样来绘制pmos版图，具体设计详见附加实验。 pmos设计规则 nwell过覆盖pdiff 0.4u pdiff过覆盖contact 0.9u 最小contact宽度 0.6u contact间距 0.6u contact与栅间距 0.6u poly超出pdiff 0.6u metal过覆盖contact 0.4u width为7.2u length为1.0u 注意：⑧与⑨所限定的器件尺寸不属于设计规则，在此列出仅为设计方便