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ESD产生危害及防护

静电放电的产生、危害及防护 静电是我们生活中常见的现象 静电的许多功能已经应用到军工或民用产品中.如:静电除尘、静电分离、静电复印等 静电是两种介电系数不同的物质摩擦时,正负极性的电荷分别积累在两个物体上而形成。 列如:当人们穿着化纤织物时,人体运动的充电电流约为:10-7~10-6A,总的充电电荷约为(0.1~5)×10-6库仑,人体对地的电容约为:150~250PF,若以电荷3×10-6库仑计,则充电电压可达:5~25KV.人体的静电放电模型可用电阻和电容的串联来模拟,设人体电阻为:500Ω,人体电容为:300PF,人体带的静电电压可达10KV. 例如,从 乙烯基的工厂地板走过,在地板表面和鞋子之间产生摩擦。其结果是纯电荷的物体,累积可达到3~2000伏的电荷,取决于局部空气的相对湿度。   甚至工人在台上的自然移动所形成的摩擦都可产生400~6000伏。如果在拆开或包装泡沫盒或泡泡袋中的PCB期间,工人已经处理绝缘体,那么在工人身体表面累积的净电荷可达到大约26000伏。    ESD是代表英文ElectroStatic Discharge即静电放电的意思。ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应如电流热(火花)效应(如静电引起的着火与爆炸)及和电磁效应(如电磁干扰)等的学科。近年来随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂,对静电放电的电磁场效应如电磁干扰(EMI)及电磁兼容性(EMC)问题越来越重视。 当两种材料一起摩擦,一种丢失电子,而另一种则收集电子。前者正充电,而后者负充电。静电是一个物体上的非移动的充电。如果有机会,该物体将放掉充电,又回到中性。这种充电释放就是静电放电(ESD, electrostatic discharge)。ESD以极高的强度很迅速地发生,通常将产生足够的热量熔化半导体芯片的内部电路,在电子显微镜下外表象向外吹出的小子弹孔,引起即时的和不可逆转的损坏。严重的是,这种危害只有十分之一的情况坏到引起在最后测试的整个元件失效。其它90%的情况,ESD损坏只引起部分的降级 - 意味着损坏的元件可毫无察觉地通过最后测试,而只在发货到顾客之后出现过早的现场失效。这是电子工业最付代价的损坏原因之一。仅美国电子工业每年因ESD造成的损失就达上百亿美元。控制ESD的主要困难是,它是不可见的,通常达到数千甚至上万伏,而互补金属氧化物半导体(CMOS, complementary metal oxide semiconductor)或电气可编程只读内存(EPROM, electrical programmable read-only memory)这些常见元件,可分别被只有250伏和100伏的ESD电势差所破坏,而越来越多的敏感的现代元件,包括奔腾处理器,只要5伏就可毁掉。 ESD两种主要的破坏机制是 :由于ESD电流产生热量导致的热失效.由于ESD感应出的高电压导致绝缘击穿.- 空气放电(Air discharge)是放电电极与被测试体之间是通过空气放电的,而接触放电是放电电极与被测物体接触后通过高压开关放电.在同样的电压下接触放电的电流比空气放电大得多,对电子器件更易损坏. 除物体除接触后分离能起电外,当带电物体接近不带电物体时会在不带电的导体的两端分别感应出负电和正电,如下图1所示。当物体A与C发生放电时会造成C与B之间放电,如下图2所示。若C与B之间不发生放电,则C会带上剩余的电荷,如下图3所示。 常见半导体器件的ESD易损值 ESD的防护 为抑制静电的产生和积累,应尽量避免使用表面电阻率高的普通塑料、聚乙烯、苯乙烯制品,如化纤地毯、尼龙服、布质仪器罩等,这些物品一经磨擦就会产生静电且不易释放;要尽可能地减少尘埃,尘埃粒子通常附着电荷;操作者应杜绝用手、服装触及电路板和各种IC引脚;清洗印刷电路板(PCB)时,只使用ESD认可的自然毛刷和溶剂;在所有操作和检查中尽可能地减少印刷电路装置(PCA, printed circuit assembly)的移动,可能的话减少操作次数;器件应存储在完全闭合的屏蔽容器内,或者引脚朝下放在耗散性接地垫子上;PCB或器件上跟踪工作过程(WIP, work in process)的标签也应使用静电耗散性标签。 敏感器件的物流也是一个不容疏忽的环节。在这个过程中,元器件不可避免地要与外包装相摩擦产生静电,而且暴露在外界电场中(如经过高压设备附近)的敏感器件也极易受到破坏,很可能在我们还没有意识到的状况下,敏感器件已经受损,因此储运时应采用耗散性或防静电屏蔽包装,不能用易产生静电的尼龙及普通塑料制品,且只在准备使用时才将ESD器件从包装中取出来。静电耗散材料 ( dissipative materials

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