第六章 光电传感器.ppt

第6章 光电传感器 * 光电传感器是将光信号转换为电信号的装置，使用它测量非电量时，需要将这些非电量的变化转换成光信号的变化。 光电传感器主要由发光元件、光学系统、光电接收元件和测量电路组成。 光电接受元件主要有光敏电阻、光电池、光敏晶体管、固态成像器件、光栅、光导纤维等。 光电传感器具有结构简单、非接触、高可靠性、高精度和反应快等优点，故广泛用于各种自动检测系统中。 紫 蓝 绿 黄 橙 红 6.1 光电效应 自然界的一切物体在环境温度高于0K以上时都会产生光波辐射，光是波长约在100—0.01μm之间的电磁辐射，其光谱见图。 光也可以被看作是由一连串具有一定能量的粒子(称为光子)所构成，每个光子具有的能量正比于光的频率。所以，用光照射某一物体，就可以看作这物体受到一连串能量为的光子所轰击，而光电效应就是由于这物体吸收到光子能量为的光后产生的电效应。通常把光线照射到物体后产生的光电效应分为两类，即外光电效应和内光电效应。 光电传感器的基本原理就是光电效应理论。 5.1.1 外光电效应 h——为普朗克常数； v——光的频率( s-1)。 光子能量 爱因斯坦光电效应方程： 式中第一项是电子逸出物体表面所需的功；第二项是逸出物体表面的电子所具有的动能。 1．电子能否逸出物体表面取决于光子具有的能量hv是否大于A0，而 hv只与光的频率v 有关，否则光强再大也不会产生光电发射。 2．如果产生了光电发射，在入射光频谱不变的情况下，逸出的电子与光强成正比。光强愈强意味着入射的光子数目愈多，受轰击逸出物体表面的电子数目愈多。 基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管等。 6.1.2 内光电效应（光电导效应、光生伏特效应 ） 1．光电导效应 在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态而使物体电阻率改变的现象称光电导效应。 若光子能量hv大于本征半导体材料的禁带宽度Eg ，则禁带中的电子吸收一个光子后就足以跃迁到导带，激发出电子—空穴对，从而加强了导电性能，使阻值降低 2．光生伏特效应（结光电效应、侧向光电效应 ） （1）结光电效应。 在光激发下多数载流子浓度变化不大，而少数载流子浓度变化很大，主要研究少数载流子的运动。 （2）侧向光电效应 当光照射半导体光电器件的灵敏面时，光照部分吸收光子能量便产生自由电子-空穴对，这部分的载流子浓度比未被光照部分的载流子浓度大，就产生了浓度梯度，由光照部分和未被光照部分的载流子浓度梯度产生的电动势，称为侧向光电效应。 6.2 光电元件 6.2.1 光敏电阻 工作原理是光电导效应，图为光敏电阻的结构图。 1．光敏电阻的主要参数和基本特性 （1） 暗电阻与亮电阻 （2） 伏安特性 （3） 光照特性 光强 （4） 光谱特性 （5） 频率特性和响应时间 （6） 光谱温度特性 硫化铅光敏电阻 6.2.2 光电池 1．电池的基本特性 （1）光照特性 （2）光谱特性 （3）光电池的频率特性 （4）光电池的温度特性 T(℃） 6.2.3 光敏晶体管 1．光敏二极管和光敏三极管的结构与工作原理 2．光敏晶体管的基本特性 （1）光敏晶体管的光谱特性 （2）光敏晶体管的伏安特性 （3）光敏晶体管的光照特性 （4）光敏晶体管的温度特性 （5）光敏晶体管的时间常数 时间常数：锗——2?10-4 s，硅——10-5s左右。 *