基于石墨烯￣zno纳米线的复合电极在ganled中的应用-发光学报.pdfVIP

第３７卷　 第１２期 发　 光　 学　 报 Ｖｏｌ３７ Ｎｏ１２ ２０１６年１２月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｄｅｃ. ꎬ２０１６ 文章编号:１０００￣７０３２(２０１６)１２￣１５５４￣０６ 基于石墨烯￣ＺｎＯ纳米线的复合电极在 ＧａＮ ＬＥＤ中的应用 １∗ ２ ３ １ １ 许　 坤 ꎬ王一帆 ꎬ解意洋 ꎬ丁　 佩 ꎬ杜银霄 (１. 郑州航空工业管理学院理学院ꎬ河南 郑州　 ４５００４６ꎻ ２. 国家知识产权局专利局 专利审查协作河南中心ꎬ河南 郑州　 ４５００４３ꎻ　 ３. 北京工业大学 电控学院ꎬ北京　 １００１２４) 摘要:使用一维ＺｎＯ纳米线和二维石墨烯复合结构集成到ｐ￣ＧａＮ表面来同时实现电流扩展和提高ＬＥＤ光 提取效率ꎮ 通过两组有无ＺｎＯ纳米线器件的对比ꎬ发现ＺｎＯ纳米线使器件的光提取效率提高了３０％. 通过 分析两组器件的开启电压、工作电压和反向漏电流等关键参数ꎬ验证了本结构应用于ＧａＮ ＬＥＤ不会恶化其电 性能ꎮ 本文所采用的复合结构用于ＧａＮ ＬＥＤꎬ同时达到了良好欧姆接触、避免使用ＩＴＯ和增强出光的效果ꎮ 关　 键　 词:氧化锌ꎻ氮化镓ＬＥＤꎻ石墨烯ꎻ透明导电层 中图分类号:ＴＮ３８３　 　 　 文献标识码:Ａ　 　 　 ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ１５５４ Ｇｒａｐｈｅｎｅ￣ＺｎＯ Ｎａｎｏｗｉｒｅｓ Ｂａｓｅｄ Ｃｏｍｐｌｅｘ Ｅｌｅｃｔｏｒｄｅ Ｕｓｅｄ ａｓ Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｃｙ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｌａｙｅｒ ｉｎ ＧａＮ ＬＥＤ １∗ ２ ３ １ １ ＸＵ Ｋｕｎ ꎬＷＡＮＧ Ｙｉ￣ｆａｎ ꎬＸＩＥ Ｙｉ￣ｙａｎｇ ꎬＤＩＮＧ Ｐｅｉ ꎬＤＵ Ｙｉｎ￣ｘｉａｏ (１. Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ ＳｃｉｅｎｃｅꎬＺｈｅｎｚｈｏｕ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ ＡｅｒｏｎａｕｔｉｃｓꎬＺｈｅｎｇｚｈｏｕ４５００４６ꎬＣｈｉｎａꎻ ２. Ｐａｔｅｎｔ Ｅｘａｍｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｏｐｅｒａｔｉｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ ｏｆ Ｔｈｅ Ｐａｔｅｎｔ ＯｆｆｉｃｅꎬＳＩＰＯＨｅｎａｎꎬＺｈｅｎｇｚｈｏｕ４５００４３ꎬＣｈｉｎａꎻ ３. Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ ＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓꎬＢｅｉｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＢｅｉｊｉｎｇ １００１２４ꎬＣｈｉｎａ) ∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｚｕａ＿ｘｕｋｕｎ＠１６３.ｃｏｍ Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｂｙ ｕｓｉｎｇ ｏｎｅ￣ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ＺｎＯｎａｎｏｗｉｒｅｓａｎｄ ｔｗｏ￣ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｇｒａｐｈｅｎｅ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ ｓｔｒｕｃ￣ ｔｕｒｅ ｔｏ ｉｎｔｅｇｒａｔｅ ｏｎｔｏ ｐ￣ＧａＮ ｓｕｒｆａｃｅꎬｔｈｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ ａｎｄ ｔｈｅ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ ｏｆ ＬＥＤ ｌｉｇｈｔ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｗｅｒｅ ｂｏｔｈ ａｃｈｉｅｖｅｄ. Ｃｏｍｐａｒｉｎｇ ｔｈｅ ｄｅｖｉｃｅｓ ｗｉｔｈ ｏｒ ｗｉｔｈｏｕｔ ＺｎＯ ｎａｎｏｗｉｒｅｓꎬｉｔ ｗａｓ ｆｏｕｎｄ ｔｈａｔ ＺｎＯ ｎａｎｏｗｉｒｅｓ ｃｏｕｌｄ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｔｈｅ ｌｉｇｈｔ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｏｆ ＧａＮ ＬＥＤ ｂｙ ３０％. Ｔｈｅ ｋｅｙ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓꎬｓｕｃｈ ａｓ ｏｐｅｎｉ