电子技术基础课件作者张志良第11章节半导体存储器.pptVIP

尚辅网 / 第11章 机械工业出版社同名教材 配套电子教案 11.1 存储器基本概念 ⒈ 存储器的主要技术指标 第11章 半导体存储器 ⑴ 存储容量 存储单元：能够存储二进制数码1或0的电路。 存储容量：存储器含有存储单元的数量。 表示方法： ① 按位（存储单元：bit ，缩写为小写字母b）数表示； 例如，存储器有32768个位存储单元，存储容量可表示为32kb。其中1kb=1024b，1024b×32=32768b； ② 按字节（字节单元：Byte，缩写为大写字母B）数表示。 例如，存储器有32768个位存储单元，可表示为4kB（字节，Byte），4×1024×8=32768b。 ⑵ 存取周期 连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存取周期。 存取周期表明了读写存储器的工作速度。 不同类型的存储器存取周期相差很大。快的约ns级，慢的约几十ms。 ⒉ 存储器结构 ⑴ 存储单元地址 ⑵ 地址寄存器和地址译码器 ⑶ 存储单元矩阵 ⑷ 数据缓冲器 ⑸ 控制电路 ⒊ 存储器的读/写操作 ⑴ 存储器写操作步骤： ① 写存储器的主器件将地址编码信号放在地址线上，同时使存储器片选控制信号CE有效； ② 存储器地址译码器根据地址信号选通相应存储单元； ③ 主器件将写入数据信号放在数据线上，同时使存储器输入允许信号WE有效； ④ 存储器将数据线上的数据写入已选通的存储单元。 ⑵ 存储器读操作步骤： ① 读存储器的主器件将地址编码信号放在地址线上，同时使存储器片选控制信号CE有效； ② 存储器地址译码器根据地址信号选通相应存储单元，同时将被选通存储单元与数据缓冲器接通，被选通存储单元数据被COPY进入数据缓冲器暂存（此时数据缓冲器对数据线呈高阻态）； ③ 主器件使存储器输出允许信号OE有效，存储器数据缓冲器中的数据被放在数据线上； ④ 主器件从数据线上读入数据。 ⒋ 半导体存储器的分类 半导体存储器按其使用功能可分为两大类。 ⑴ 只读存储器ROM（Read Only Memory） 用途：存放固定的程序和常数。 特点：① 断电后信息不而丢失； ② 不能随机写入。 ⑵ 随机存取存储器RAM（Random Access Memory） 用途：存放各种现场的输入输出数据和中间运算结果。 特点：① 能随机读写（能跟上微机快速操作）。 ② 断电后信息丢失。 11.2 只读存储器ROM ROM分类概况 ⒈ 掩模ROM（Mask ROM） 特点：① 用户无法自行写入，须委托生产厂商在制造芯片时一次性写入。 ② 价格低廉，性能稳定可靠。 适用于大批量成熟产品。 ⒉ 一次性可编程ROM（OTPROM） 特点：① 用户可自行一次性写入，但写入后不能修改。 ② 价格低廉，性能稳定可靠。 适用于成熟产品，是当前ROM应用主流品种之一。 ⒊ 紫外线可擦除EPROM（UVEPROM） 特点：① 用户可多次（10000次以上）擦写。 ② 擦写均不方便，不能在线改写。 ③ 价格较贵。 在十几年之前，曾是ROM应用主流品种，目前已让位于价廉、擦写方便的Flash Memories。 ⒋ 电可擦除EPROM（E2PROM） 特点：① 用户可多次擦写。 ② 写入速度较慢，仍不能理想地在线擦写。 ③ 价格较贵。 目前已让位于价廉、擦写方便的Flash Memories。 ⒌ 快闪存储器（Flash Memories） 特点：① 用户可多次（10万次以上）擦写。 ② 擦写方便，可随机读写。 ③ 价格低廉。 目前已成为ROM应用主流品种之一