半导体习题解答.pdf

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2017-10-07 发布于湖北
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半导体习题解答

习题解答 P125-2. 试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1450cm2/( V.S)和500cm2/( V.S) 。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征Si的电导率增大了多少倍？ u 1450cm V /(S u ), 500cm V /(Sn )  2 p 2  解：300K时，查表3-2或图3-7可知，室温下Si的本征载流子浓度约为 1n 010.10 3 cm i 本征情况下， 10 -19 6  ( ) 110nqu16 pqu10 n(1450q u 500u ) 3.12 10 / . +  S cm p i n n p 1 1    8 6 4 8 金钢石结构一个原胞内的等效原子个数为 8 2 个，查看附录B知Si的晶格常数为0.543102nm，则其原子密度为 8 22 3  510 cm 7 3 。 0 543102( . 10  ) 掺入百万分之一的As,杂质的浓度为 22 1 16 3  N 510 510 cm