- 1、本文档共50页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
模电_电子线路线性部分第五版_主编_冯军_谢嘉奎第三章课件
第 3 章 场效应管
概 述
3.1 MOS 场效应管
3.2 结型场效应管
3.3 场效管应用原理
第 3 章 场效应管
概 述
场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。
它体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是 目前制造
大规模集成电路的主要有源器件。
MOS 场效应管
场效应管分类:
结型场效应管
场效应管与三极管主要区别:
• 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。
• 场效应管是单极型器件 (三极管是双极型器件)。
第 3 章 场效应管
3.1 MOS 场效应管
N 沟道 (NMOS)
增强型(EMOS)
P 沟道 (PMOS)
MOSFET
N 沟道 (NMOS)
耗尽型(DMOS)
P 沟道 (PMOS)
N 沟道 MOS 管与 P 沟道 MOS 管工作原理相似,
不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同,因此
导致加在各极上的电压极性相反。
第 3 章 场效应管
3.1.1 增强型 MOS 场效应管
q N 沟道 EMOSFET 结构示意图
源极 金属栅极
衬底极 漏极
U S G D
沟道
电路符号 W 宽度
D
+ + + + SiO2
P N N P
绝缘层
U l
G P 型硅
S P 衬底
沟道长度
第 3 章 场效应管
q N沟道 EMOS 管工作原理
Ø N 沟道 EMOS 管外部工作条件
• V 0 (保证栅漏 PN 结反偏)。
DS
• U 接电路最低电位或与 S 极相连 (保证源衬 PN 结反偏)。
• V 0 (形成导电沟道)
GS
V
DS
- +
文档评论(0)