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半导体器件物理 饱和电压 V V V DSat GS T 线性区 Z  1 2  I  C V V V  V D L n OX  Gs T DS 2 DS  饱和区 Z 2 I  C (V V ) DSat n OX GS T 2L 半导体器件物理 萨方程（公式推导） •推导萨方程的四步 1. 引用欧姆定律，列沟道电流密度方程 沟道电流密度——J (x, y) ： x和y的函数 C 根据第2条假定，W足够宽，忽略边缘效应。 dV y   j (x ,y ) q n (x ,y ) n dy dV y Z x   i I q n x , y dxdz n     dy 0 0 定义：单位面积下沟道反型层中载流子电荷总量 dV y xi   Q ( y)  q n x, ydx I  ZQ (y ) n 0 n n dy 半导体器件物理 萨方程（公式推导） 2.求强反型表面势 • 不考虑场感应结压降时（VBS=0，VDS=0）  sinv = 2 F • 考虑场感应结上压降（VBS≠0），并且VDS=0  = 2 −V sinv F BS • 考虑VDS≠0，即考虑沟道电势V(y)，那么场感应结上 的压降是VBS−V(y)  = 2  −V +V(y) sinv F BS 半导体器件物理 萨方程