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模拟电子技术基础 第一章 1.1 电路如题图1.1所示，已知，二极管导通电压降。试画出和的波形，并标出幅值。 解：通过分析可知： (1) 当时， (2) 当时， (3) 当时， 总结分析，画出部分波形图如下所示： 1.2 二极管电路如题图1.2所示。（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO两端的电压。 解：对于（a）来说，二极管是导通的。 采用理想模型来说， 采用恒压降模型来说， 对于（c）来说，二极管是导通的，二极管是截止的。 采用理想模型来说， 采用恒压降模型来说， 1.3 判断题图1.3电路中的二极管D是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流 解：（b）先将二极管断开，由KVL定律，二极管左右两端电压可求出： 故此二极管截止，流过的电流值为 （c）先将二极管断开，由KVL定律，二极管左右两端电压可求出： ， 由于，故二极管导通。 运用戴维宁定理，电路可简化为 1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。 解： T1: 硅管，PNP，11.3V对应b, 12V对应e, 0V对应c T2: 硅管，NPN，3.7V对应b, 3V对应e, 12V对应c T3: 硅管，NPN，12.7V对应b, 12V对应e,15V对应c T4: 锗管，PNP，12V对应b, 12.2V对应e, 0V对应c T5: 锗管，PNP，14.8V对应b, 15V对应e, 12V对应c T6: 锗管，NPN，12V对应b, 11.8V对应e, 15V对应c 模拟电子技术基础 第二章 2.2 当负载电阻时，电压放大电路输出电压比负载开路（）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻。 解：由题意知： 解得 2.5 电路如题图2.2所示，设BJT的，、可忽略不计，试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流。 解：， 开关打在A上：，故三极管工作在饱和区。 开关打在B上：，故三极管工作在放大区。 开关打在C上：发射结和集电结均反偏，故三极管工作在截止区。 IC=0 2.9 题图2.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求： (1)电源电压，静态电流、和管压降的值； (2)电阻、的值; (3)输出电压的最大不失真幅值； (4)要使该电路不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？ 解：(1)由输出特性图中可以读到： ，，, 。 (2) ， (3) (4)要使电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值取 2_11、单管放大电路如图题3.4.2所示已知BJT的电流放大系数β＝50。（1）估算Q点； （2）画出简化 H参数小信号等效电路；（3）估算 BJT的朝人电阻 rbe；（4）如输出端接入 4 kΩ的电阻负载，计算及。 解（1）估算Q点 （2）简化的H参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。 （3）求rbe （4） 2.15 电路如题图2.11所示。 (1)画出放大电路的微变等效电路； (2) 写出电压放大倍数的表达式； (3)求输入电阻； (4)画出当时的输出电压、的波形（输入为正弦波，时间关系对齐） 解：（1） (2) (3) ,其中 (4)由于考虑到，因而其波形图可参考如下： 2.17 在题图2.13所示电路中，已知三极管的，，试求： (1)电路的Q点； (2) 和时的电压增益、输入电阻及输出电阻； 解：(1)画出电路直流通路如下图所示： 列式： 得到：，从而可求得： 故： (2)做出电路交流通路如下图所示： 当时， 当时， 2.19已知电路参数如题图2.17所示，FET工作点上的互导，设。 （1）画出电路的小信号模型； （2）求电压增益； （3）求输入电阻。 解：（1）电路的小信号模型如下图示： （2） （3）。 2.24 电路如题图2.19所示，其中三极管的均为100，且，。 （1）求各级的静态值； （2）求和； （3）分别求出当和时的。 解：（1）对于第一级来说： ； 对于第二级来说： （2） （3）；； 时：；； 时：；； 2-25.电路参数如图题4.5.1所示。设FET的参数为gm＝0.8ms，rd＝200kΩ；3AG29（T2）的β＝40，rbe＝1kΩ。试求放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。 解（1）求由于 rd＞＞Rd，故rd可忽略，图题 4.5.1的小信号等效电路如图解 4 .5.1所示。由图有 （2）求Ri的对数幅频特性如题图2.24所示。 （1）试求该电路的中频电压增益，上限频率，下限频率； （2）当输入信号的频率或时，该电路实际的电压增益