器件考的试题A卷.docVIP

电子科技大学成都学院二零一一至二零一二学年第二学期 微电子器件A卷课程考试题（120分钟）闭卷 考试时间： 教师姓名： 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 评卷教师 一、填空题（1x 20分） 1、在N型半导体中，（ ）为多数载流子，（ ）为少数载流子。 2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（ ），N区一侧带（ ）电荷。 3、势垒电容反映的是PN结的势垒区电离杂质电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（ ）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（ ）。 4、为了提高晶体管的基区输运系数，应当使基区宽度（ ）基区少子扩散长度。 5、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β是指，发射结（ ）偏、集电结（ ）偏时的（ ）电流与（ ）电流之比。 6、当（ ）降到1时的频率称为最高振荡频率fM。 7、对于频率不是特别高的一般高频管，提高特征频率fT的主要措施是（ ）。 8、MOSFET是利用外加电压产生（ ）来控制漏极电流大小，因此它是（ ） 控制器件。 9、跨导gm反映了场效应管（ ）对（ ）控制能力，其单位 是（ ） 10、要提高N沟道MOSFET的阈电压VT ，应使衬底掺杂浓度NA（ ），使栅氧化层厚度Tox（ ）。 二 选择题（10分） 1、当PN结外加正向偏压时，扩散电流（ ）漂移电流，当外加反向偏压时，扩散电流（ ）漂移电流。 A 大于，B.小于，C等于，D 不定 2、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。 A 变宽， B变窄，C 变高，D 不变 3、P＋结耗尽层宽度主要取决于：p＋区浓度　n区的浓度　　　＋区和n区的浓度限制最高工作电压的主要因素是雪崩击穿电压基区穿通电压雪崩击穿电压和基区穿通电压的较小者对于实际的增强型MOSFET，简单说明阈值电压（VT）包括哪几个部分的电压分量栅氧化层上的电压平带电压使半导体表面产生强反型层（沟道）所需要的电压 晶体管基区运输系数主要决定于：基区浓度基区电阻率和基区少子寿命　基区宽度和基区少子扩散长度、、、、、等产生什么影响？ 3、什么是双极晶体管基区宽度调变效应，什么是基区穿通效应？ 4、写出四种类型MOSFET的符号，输出特性和转移特性曲线 5、简述MOSFET击穿电压的类型和产生的原因 五、计算题（30分） 1、某突变PN结的，试求和的值，并求当外加0.5V正向电压时的和的值。 2、某均匀基区晶体管的，求该晶体管的和。 3、有一个处于饱和区的N沟道MOSFET，当VGS1 = 3V时测得IDsat1 = 3mA ，当VGS2 = 4V时测得IDsat2 = 12mA，试求该MOSFET的阈电压VT和增益因子β之值。 系别 班次 学号 姓名 . ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第 5 页 共 5页