光电探测-复习的总结.ppt

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光电探测-复习的总结

第二章 光电探测器的物理基础 1. 光电效应和热电效应 (1)光电效应 内光电效应:不发射电子 被光激发所产生的载流子(自由电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。 外光电效应:发射电子 被光激发产生的电子逸出物质表面,形成真空中的电子的现象 2)光生伏特效应 (2)热电效应 电阻温度效应 温差电效应 热释电效应 (2) 斯忒藩-波尔兹曼辐射定律 (1) 有关响应方面的性能参数 响应率 单色响应率 积分响应率 频率响应率 响应时间和上限频率 量子效率 (2)有关噪声方面的参数 第三章 光电探测器 1 光电子发射探测器 2 PC器件 3 PV器件 4 热电探测器 5 成像器件 6 探测器性能比较 单元光电探测器的性能及应用比较 光谱响应范围 频率特性 外加偏压 探测率 第四章 光电信号处理 第五章 光学信号的调制 * * 《光电探测与信号处理》 复 习 总 结 各种效应的原理、特点 各种效应的比较 典型的代表器件 重点掌握: 光子直接与物质中的电子作用,引起电子运动状态的改变,从而使物体的电学性质改变。 特点:光子与材料中的电子直接作用,使电子的能态发生改变,光谱响应有选择性。 1)光电导效应 本征光电导效应 非本征(杂质)光电导效应 扩散和漂移 3)光子牵引效应 4)光磁电效应 内光电效应: 入射光与材料的晶格相互作用,晶格吸收光能而增加振动能量,引起材料的温度上升,从而使材料电学参量发生变化。 特点:光谱范围宽、无选择性 (a) (b) (4) (PE-Photo Emission) (PMT-PhotoMultiplier Tube ) (PC-Photoconductive) (PV-Photo Voltaic ) (SBD-Schottky Barrier Photo Diode) (PEM-photo electromagnetic) (photon drag effective ) (Bolometer ) Positive Temperature Coefficient (seebeck effect ) Pyroelectric sensor (MCP-Microchannel Plates ) (Dynode ) (APD-Avalanche Photo Diode) thermocouples thermopile Negative Temperature Coefficient Solar cell(photocell) Photo Diode photoconductor (image intensifiers ) (1)辐射度量和光度量的对照表 2.掌握和应用辐射度量(光度量)单位及相互换算 Km=683 lm/W ,亦称光功当量 (2)光谱效率函数V(?)、光谱光视效能Km的定义及应用 3. 黑体辐射定律 (1)普朗克定律:黑体光谱辐射出射度Meb(λ,T )是黑体温度T和波长λ的函数 Meb(λ,T) (3) 维恩位移定律 (μm) W·cm-2.μm-1 电压响应率 电流响应率 4. 光电探测器的性能参数 噪声种类 信噪比(S/N) 噪声等效功率(NEP) 探测率D与比探测率D* NEP(500,400,1) 黑体D*(T,f,1) 单色Dλ*(λ,f,1) 已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm,则该材料的禁带宽度为? 在距离标准钨丝灯2m远处放置一个照度计探头,已知探头的光敏面积为0.5 cm2,若照度计测得的最大照度为100(lx),试求: (1)标准钨丝灯在该方向的发光强度为多少? (2)所发出的光通量为多少? 硅光电二极管光敏面为0.04 cm2。辐照度0.1mW/cm2、波长为700nm的光垂直入射到探测器上并产生56nA的光电流。该光电管的单色响应度为?,量子效率为?. 已知某探测器的面积为3×4cm2,D*=1011cm?Hz1/2w-1,光电仪器的带宽为300Hz,该仪器所能探测的光辐射的最小辐射功率? (1)掌握光电倍增管组成及工作原理 (2)掌握光电倍增管外部电路的设计及使用 (2)掌握光电发射器件的特点:使用波段、内增益(与什么有关)、灵敏度高(用什么表示)、低噪声、高电压(正负电压使用特点)、适用微弱信号检测等 (1) 器件工作原理:内增益特性、灵敏度表示 (2)三种偏置电路特点 (3)工作条件(偏压、无极性) (4)工作波段、响应频率 (1)结合第二章的pn结工作原理,掌握PV器件的伏安工作曲线及对应的工作状态(零偏、反偏) (2)PN、PIN、APD管的工作原

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