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功率MOSFET数据表说明
应用说明AN 2012-03
V1.1 2012 年3 月
英飞凌 OptiMOSTM
功率 MOSFET 数据表说明
英飞凌科技奥地利AG
电源管理及多元化市场部门
应用工程师
Alan Huang
英飞凌OptiMOSTM 应用说明AN 2012-03
功率MOSFET 数据表说明 V1.1 2012 年3 月
版本：2012-03-16
发布者：
英飞凌科技奥地利 AG
9500 维拉赫，奥地利
©英飞凌科技奥地利 AG 2011 。
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AN 2012-03
修订记录：日期(12-03-16)，V1.1
先前版本：V1.0
作者：Alan Huang ，电源管理和多元化市场部门
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英飞凌OptiMOSTM 应用说明AN 2012-03
功率MOSFET 数据表说明 V1.1 2012 年3 月
目录
1. 引言4
2. 数据表参数4
2.1 功率耗散5
2.2 漏极电流7
2.3 安全工作区9
2.4 最大瞬态热阻抗ZthJC 11
2.5 典型输出特性13
2.6 作为漏极电流函数的漏源导通电阻14
2.7 转移特性16
2.8 正向跨导17
2.9 漏源导通电阻18
2.10 栅极阈值电压19
2.11 电容20
2.12 反向二极管特性22
2.13 雪崩特性25
2.14 漏源击穿电压26
2.15 典型栅极电荷27
2.16 漏电流30
2.17 其他重要参数30
2.17.1 开关时间30
2.17.2 栅极电阻31
2.17.3 更多最大额定值31
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