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电气自动化技术发展趋势探析摘要：电气自动化技术是当前各个生产单位和建筑施工过程中追求的目标。在电气自动化建设过程中，是采用各种相应的手段和方法进行讨论和利用的过程。我国电气自动化由于出现的年代比较晚，因此在发展的过程中还存在着一些问题因素。电气自动化在当前社会发展的过程中，其在教育模式中由于人们对其认识的不断加深也在逐步的增加，但由于其专业面宽，适用性广，使得在当前社会发展的过程中所以到如今一直很受欢迎。本文就当前电气自动化技术发展的趋势进行相应的探讨与分析。 关键词：电力工程；电气自动化；自动化技术 l、全控型电力电子开关逐步取代半控型晶闸管 在过去的电气自动化控制过程中，是采用各种微型的系统和线材进行控制，是线材在在使用的过程中受到各种因素的影响发生断路引起的。随着当前各种微机技术和信息技术的不断应用，当前的电气自动化逐步出现了全控制器件和自动化控制器件。为当前电气自动化发展带来了热潮和前提基础。 GTR 的二次击穿现象以及其安全工作区受各项参数影响而变化和热容量小、过流能力低等问题，使得当前人们在研究和控制的过程中将各种技术和科学设备逐步的应用在其上面，成为当前社会发展的热潮。但其中也出现了各种问题，如电路复杂，难以掌握，在设计的过程中对电路的要求不断的增加。 GTO 是一种用门极可关断的高压器件，是当前社会发展中先进的科学技术和设备水平向结合的过程，是采用相应的手段进行分析与控制的过程和前提基础。其在控制和设计的过程中是采用相应材料进行处理和加工的过程。 由于GIR 、GTO 等双极性全控性器件必须要有较大的控制电流，因而使门极控制电路非常庞大，从而促进厂新一代具有高输人阻抗的 MOS 结构电力半导体器件的一切。功率 MOSFET 是一种电压驱动器件，基本上不要求稳定的驱动电流，驱动电路只需要在器件开通时提供容性充电电流，而关断时提供放电电流即可，因此驱动电路很简单。它的开关时间很快，安全工作区十分稳定，但是 P - MOSFET 的通态电压降随着额定电压的增加而成倍增大，这就给制造高压 P - MOSFET 造成了很大困难。 IGBT是 P -MOSFET 工艺技术基础上的产物，它兼有 MOSFET 高输人阻抗、高速特性和 GTR 大电流密度特性的混合器件。其开关速度比 P -MOSFET 低，但比 GTR 快；其通态电压降与 GTR 相拟约为 1 .5 V ~ 3 .5v ，比 P - MOSFET 小得多，其关断存储时间和电流卜降时间为别为 0 . 2 us一 04 us和 0 . 2us ~ 1 . 5us，因而有较高的工作频率，它具有宽而稳定的安个工作区，较高的效率，驱动电路简单等优点。 MOS 控制晶闸管（ MCT ）是一种在它的单胞内集成了 MOSFET的品闸管，利用M OS 门来控制品闸管的开通和关断，具有晶闸管的低通态电压降，但其工作电流密度远高 IGBT和 GTR ，在理论上可制成几千伏的阻断电压和几十千赫的开关频率，且其关断增益极高。 IGBT和MGT 这一类复合型电力电子器件可以称为第三代器件。在器件的复合化的同时，模块即把变换器的双臂、半桥乃至全桥组合在一起大规模生产的器件也已进入实用。在 模块化和复合化思路的基础卜，其发展便是功率集成电路 PIC ( Powerl , lntegratcd Cirrrrcute ) , 在 PIC，不仅主回路的器件，而且驱动电路、过压过流保护、电流检测甚至温度自动控制等作用都集成到一起，形成一个整体，这可以算作第四代电力电子器件。 2、 变换器电路从低频向高频方向发展 随着电力电子器件的更新，由它组成的变换器电路也必然要换代。应用普通晶闸管时，直流传功的变换器主要是相控整流，而交流变频船动则是交一直一交变频器。当电力电子器件进入第二代后，更多是采用PWM 变换器了。采用PWM方式后，提高了功率因数，减少 了高次谐波对电冈的影响，解决了电动机在低频区的转矩脉动问题。 但是PWM 逆变器中的电压、电流的谐波分量产生的转矩脉动作用在定转子上，使电机绕组产生振动而发出噪声。为了解决这个问题，一种方法是提高开关频率，使之超过人耳能感受的范围，但是电力电子器件在高电压大电流的情况下导通或关断，开关损耗很大。开关损耗的存在限制了逆变器工作频率的提高。 1986 年美国威斯康星大学 Divan 教授提出谐振式直流环逆变器。传统的逆变器是挂在稳定的直流母线上，电力电子器件是在高电压下进行转换的硬开关，其开关损耗较大，限制了开关在频率上的提高。而谐夺式直流环逆变器是把逆变器挂在高频振荡过零的谐振路上，使电力电子器件在零电压或零电流下转换，即工作在所谓的软开关状态下，从而使开关损耗降低到零。这样，可以使