激光剥离GaN表面的抛光技术pdf.PDF

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 DOI :10. 13290 /j ． cnki． bdtjs． 20 14. 10. 008 激光剥离 GaN 表面的抛光技术 1a 1b 1a 1b，2 1a ，1b ， ， ， ， 应磊莹 刘文杰 张江勇 胡晓龙 张保平 (1. a. ; 厦门大学 信息科学与技术学院 b. ， 361005 ;2. ， 51064 1) 物理与机电工程学院 福建厦门 华南理工大学物理与光电学院 广州 : (LLO) (GaN) 摘要 激光剥离 技术是研制新型氮化镓 基谐振腔结构光电子器件的关键技 。 LLO GaN ， 术 然而 后的 表面往往具有较大的粗糙度 而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平 ， LLO GaN 。 整度 因此需要对 后的 表面进行抛光 分别采用金刚石粉抛光液和胶粒二氧化硅抛光 液进行机械抛光和化学机械抛光 (CMP)， ， 并对比了两种方法获得的抛光结果 研究发现前者会 GaN ， 。 在抛光后的 表面引入划痕 而采用后者可以得到亚纳米级平整度的表面 进一步的实验结 ， GaN 。 果表明 胶粒二氧化硅抛光液同样适用于图形化衬底外延片激光剥离后的 表面抛光 : (LLO);GaN ; (CMP); (VSLED); 关键词 激光剥离 化学机械抛光 垂直结构发光二极管 (ＲCLED); (VCSEL) 谐振腔发光二极管 垂直腔面发射激光器 中图分类号:TN305. 2 文献标识码:A 文章编号:1003 －353X (2014)10 －0758 －05 Polishing of Laser Lift-Off-Induced GaN Surface Ying Leiying1a ，Liu Wenjie1b ，Zhang Jiangyong1a ，Hu Xiaolong1b ，2 ，Zhang Baoping1a ，1b (1． a． School of Inf ormation Science and Engineering ;b． School of Physics