MEMS中的牺牲层技术.pdf

$%$ 器件与技术 !!# $%’(% ) *%(+,-.-/0 !!# 中的牺牲层技术 张永华，丁桂甫，李永海，蔡炳初 （上海交通大学微纳米科学技术研究院，上海 !# ） 摘要：$%$ 技术作为微电子技术应用的新突破，促进了现代信息技术的发展。牺牲层技术是 $%$ 应用中的关键，用以实现结构悬空和机械可动。本文介绍了$%$ 技术发展中的几种牺 牲层技术，并进行了简要评述。 关键词：微电子机械系统；牺牲层；多孔硅；光刻胶；干法释放 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 45#* ( )%6 )7#66% !* !76’7* !#$%%#%’ ()*$ +*#,-.’./) %- 010! 89(5: ;=7?@A ，1.5: :@B7C@ ，D. ;=7?AB ，/(. EB=7F?@ （ ， ， ， ） !#$%’ ()#*+*,* -. /+%-0 1$)-2*% 3+) 4 5’)-6-78 3’$)7’$+ 9+$- 5-)7 :)+;%# +*8 3’$)7’$+ !’ ’+)$ 2345$#5 ：(G A =HI JKHALM?K@? B= M?H ANNOBFAMB= C PBFKHOHFMK=BF MHF?=OQ ，PBFK7HOHFMK7 （ ） PHF?A=BFAO GQGMHPG +,+- RKBSHG M?H RHSHONPH=M C PRHK= B=CKPAMB= MHF?=OQT 4?H @GH C A GAFKBCBFBAO OAQHK BG M?H LHQ MHF?=BU@H M M?H ANNOBFAMB= C +,+- MHF?=OQ ，I?BF? BG @GHR M JMAB= M?H G@GNH=RHR K PSHAJOH PHF?A=BFAO GMK@FM@KHT .= M?BG NANHK ，GHSHKAO GAFKBCBFBAO OAQHK MHF?=BU@HG B= +,+- AKH NKHGH=MHR A=R HSAO@AMHRT 6*) 7.$84 ：PBFK7HOHFMK7PHF?A=BFAO GQGMHPG ；GAFKBCBFBAO OAQHK ；NK@G GBOBF= ；N?MKHGBGM ；RKQ KHOHAGH 情况下需要得到自由可动的结构单元以实现机械移 ) 引 言 动，如微阀、微马达、微陀螺、微加速度计、微机 微电子机械系统 （ ）是微电子技术与机 械开关等；对于一些射频 （ ） 器件，如 +,+- 23 +,+- 械、光学等领域交叉融合的产物，是在 工艺技 微带线、微电感，需要悬空制作，以减小衬底损 ./ ［］ 术基础上的延伸和拓展，是微电子技术应用的一个 耗，改善电路的高频性能 # 。这些，都需要借助 新突破。+,+- 及其相关技术，使得光、机、电、 于牺牲层技术来实现，即利用不同材料在同一种腐 磁、热等