LP-MOCVD生长InGaN及InGaNGaN量子阱的研究.pdf

　　　　　光 电 子·激 光　第 13 卷　第 10 期　2002 年 10 月 　　　　　　　　　　　 Journal of Op toelectronics ·L aser　V o l. 13　N o. 10　O ct. 2002 　　　　　　 - 生长 及 量子阱的研究 L P MOCVD InGaN InGaN GaN 刘宝林, 陈松岩, 吴正云, 陈　朝, 陈丽蓉, 黄美纯 ( 厦门大学物理系, 福建 厦门 361005) 　　　　　　　　摘要: 利用 系统在 衬底上生长 材料和 量子阱结构材料。研究发现, M OCVD A l O InGaN InGaN GaN 2 3 InGaN 材料中 In 组份几乎不受 TM G 与 TM I 的流量比的影响, 而只与生长温度有关, 生长温度由 800 ℃ 降低到 740 ℃, In 组份的从 0. 22 增加到 0. 45; 室温 InGaN 光致发光光谱(PL ) 峰全半高宽(FW H M ) 为 15. 5 ; 量子阱区 的厚度2 , 但光荧光的强度与 100 厚 的体材料 nm InGaN GaN InGaN nm nm InGaN 相当。 关键词: GaN ; InGaN ; M OCVD ; 量子阱 中图分类号: TN 248 4　　文献标识码:A 　　文章编号:(2002) The Character iza tion of InGaN and InGaN GaN Quan tum W ells Grown by - L P MOCVD , , , , , L IU Bao lin CH EN Song yan W U Zheng yun CH EN Chao CH EN L i rong HUAN G M ei chun ( , 361005, ) Physics D epartm ent of X iam en U niversity