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LP-MOCVD生长InGaN及InGaNGaN量子阱的研究
光 电 子·激 光 第 13 卷 第 10 期 2002 年 10 月
Journal of Op toelectronics ·L aser V o l. 13 N o. 10 O ct. 2002
- 生长 及 量子阱的研究
L P MOCVD InGaN InGaN GaN
刘宝林, 陈松岩, 吴正云, 陈 朝, 陈丽蓉, 黄美纯
( 厦门大学物理系, 福建 厦门 361005)
摘要: 利用 系统在 衬底上生长 材料和 量子阱结构材料。研究发现,
M OCVD A l O InGaN InGaN GaN
2 3
InGaN 材料中 In 组份几乎不受 TM G 与 TM I 的流量比的影响, 而只与生长温度有关, 生长温度由 800
℃ 降低到 740 ℃, In 组份的从 0. 22 增加到 0. 45; 室温 InGaN 光致发光光谱(PL ) 峰全半高宽(FW H M )
为 15. 5 ; 量子阱区 的厚度2 , 但光荧光的强度与 100 厚 的体材料
nm InGaN GaN InGaN nm nm InGaN
相当。
关键词: GaN ; InGaN ; M OCVD ; 量子阱
中图分类号: TN 248 4 文献标识码:A 文章编号:(2002)
The Character iza tion of InGaN and InGaN GaN Quan tum W ells Grown by
-
L P MOCVD
, , , , ,
L IU Bao lin CH EN Song yan W U Zheng yun CH EN Chao CH EN L i rong
HUAN G M ei chun
( , 361005, )
Physics D epartm ent of X iam en U niversity
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