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InGaNGaN单量子阱绿光发光二极管
第 21 卷第 7 期 半 导 体 学 报 . 21, . 7
V o l N o
2000 年 7 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S July, 2000
单量子阱绿光发光二极管
InGaN GaN
王晓晖 刘祥林 陆大成 袁海荣 韩培德 汪 度
( 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学开放实验室, 北京 100083)
摘要: 采用金属有机物气相外延方法, 研制了 单量子阱结构的绿光发光二极管. 测
InGaN GaN
量了其电致发光光谱, 及发光强度与注入电流的关系. 室温 20 的注入电流时, 发光波长峰值
mA
为 530 , 半高宽为 30 . 注入电流小于 40 时, 发光强度随注入电流单调递增.
nm nm mA
关键词: 单量子阱; 绿光L ED ; M OV PE
: 6865; 7865; 8115
PACC H
中图分类号: TN 312+ 8 文献标识码: A 文章编号: (2000)
-
InGaN GaN Single Quan tum W ell Structures Green L ight
Em itting D iodes
, , , ,
W AN G X iao hu i L IU X iang lin LU D a cheng YUAN H ai rong
HAN Pei de and W AN G D u
( , ,
L aboratory of S em icond uctor M aterials S cience Institu te of S em icond uctors
T he Ch inese A cad emy of S ciences, B eij ing 100083, Ch ina)
Received 21 A p
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