使用Kinetis系列中的增强型EEPROM功能.PDFVIP

Freescale Semiconductor Document Number: AN4282 应用说明 Rev 0, 03/2011 使用Kinetis 系列中的增强型 EEPROM 功能 作者: Melissa Hunter 和 Derrick Klotz 内容 1 简介 1 简介 1 某些Kinetis 系列处理器包含FlexMemory 功能。 2 增强型EEPROM (EEE)功能 1 FlexMemory 可让用户将某些片上闪存配置为增强型 3 使用EEE 11 EEPROM 、附加闪存或此两者的组合。 4 EEE 性能 13 本应用说明介绍了如何将FlexMemory 用作增强型 5 掉电检测 13 EEPROM 。另外，还介绍了增强型EEPROM 的优势、存储 器的配置以及耐受能力计算方法。 2 增强型EEPROM (EEE)功能 FlexMemory 的增强型EEPROM (EEE)提供了许多功能让 您更换外部EEPROM 及改进其性能。 FlexMemory EEE 的功能包括： • 可配置，使设计人员能够根据所需的EEE 耐受能力 和所需的EEE 与闪存总量做出权衡利弊的决策。 • 高耐受能力的EEE 存储器的擦写周期数可达1 亿次 以上(取决于配置) • 支持字节、字和长字存取 • 写入时间很短(写入预先擦除的位置时大约为100 μs， 擦除和编程时为1.5 ms) • 在处理器接受的整个工作电压范围(1.71 V – 3.6 V) 内 都可以使用EEE 功能 © 2011 Freescale Semiconductor, Inc. Review Draft 增强型EEPROM (EEE)功能 2.1 FlexMemory EEE 的工作原理 为了提供增强型EEPROM 功能，FlexMemory 使用了RAM 块(FlexRAM)、闪存块(FlexNVM)和EEE 状态机。启用 EEE 功能后，FlexRAM 将变成EEE 存储器。您可以在FlexRAM 地址空间中存取所有EEE 数据。存取EEE 时，EEE 状态机将会跟踪数据，并将它作为数据记录进行备份，这些数据记录存储在用作E-Flash 的某个FlexNVM 部分中。 如果使用较大的E-Flash 块备份少量的EEE 数据，则FlexMemory EEE 器件可以提供极高的耐受能力。 EEE 状态机使用32 位记录将数据从EEE 备份到闪存中。记录的16 个位用于数据，另外16 个位是有关数据的地址 和状态信息。可以根据需要写入和擦除数据记录。也就是说，如果从未存取过EEPROM 中的某个位置，则该位置将 不会有任何数据记录。这有助于减少需要备份的数据量，并可以提高存储器的耐受能力。 2.2 FlexMemory EEE 如何使用存储器 支持FlexMemory 的设备具有两个独立的闪存块，即P-Flash 块和FlexNVM 块。P-Flash 块旨在用作编程闪存块，但 实际上可以使用它来存储指令和数据。FlexNVM 块是可配置的闪存块，可用作附加闪存空间(D-Flash)、用于支持增 强型EEPROM 功能的备份存储器(E-Flash) ，或此两者的组合。 注 未用作EEE 备份存储器(E-Flash)的FlexNVM 部分称为D-Flash 。通常，此闪存用于 数据存储空间；但是，像P-Flash 一样，D-Flash 实际上也可用于存储指令或数据。 FlexMe