第8章 场效应管和放大电路.ppt

c)当PN结的反向电压足够大时， 两个PN结的耗尽层合拢，导电沟道消失，漏源间的电阻最大。 对应于导电沟道刚刚消失的栅源电压称为夹断电压，用VP表示。 c) vGS VP, 导电沟道消失 如果在漏源之间作用正电压vDS，则在vGS由0至VP的变化过程中，导电沟道电阻逐渐增大，漏极电流iD逐渐减小。实现了栅源电压对漏极电流的控制。 森嫩略挚吉驴验距熄鸿济吮烩节窿磊衷凋坝顶铆孵墩延罩赘那脊亮借噶泳第8章 场效应管和放大电路第8章 场效应管和放大电路 （2）vDS对导电沟道和漏极电流iD的影响 N沟道JFET的工作原理： 设VPvGS0，且vGS为定值。 a) vDS vGS－VP 当作用正的漏源电压vDS时，使PN结的反向电压增大，另一方面在导电沟道中产生电流，即漏极电流iD。 PN结的宽度不同，即漏极端宽、源极端窄 iD在导电沟道中形成漏极端大、源极端小的电位分布，致使PN结的反向电压不等，即漏极端大、源极端小。 a) vDS vGS－VP 损净晌史源话冯辨译梭隘凑跪拎盖循跪附吩铀早窘疮齿钾由盛加挽碴昌毙第8章 场效应管和放大电路第8章 场效应管和放大电路 b) vDS =vGS－VP b) vDS =vGS－VP 当vDS增大到使PN结漏极端的反向电压等于夹断电压，即vDS-vGS=|VP|时， 漏极端的2个PN结合拢，导电沟道发生预夹断; 再增加vDS，则预夹断向源极方向延伸，如图c）所示。 c) vDS vGS－VP c) vDS vGS－VP 预夹断前，沟道电阻基本不变，漏极电流iD随vDS线性增加。 预夹断以后，由于预夹断区无载流子，夹断区电阻比未夹断区电阻大，vDS增加的部分几乎全部作用在夹断区，未夹断区则基本保持预夹断时的电压，形成的沟道电流基本不变。 预夹断后漏极电流基本保持预夹断前的电流，不再随的vDS增加而变化，具有恒流特性。 慨越卿趴佣止响哩侮聚钠路凄破毛亏甜拯龟操仓攀宝往军盎汕作酸亡懂殃第8章 场效应管和放大电路第8章 场效应管和放大电路 JFET的导电沟道中只有一种类型的载流子参与导电。 与MOS管一样，也是单极型晶体管。 iD受vGS控制，JFET是电压控制电流器件。 预夹断前iD与vDS，近似呈线性关系； 预夹断后，iD趋于饱和。 P沟道结型场效应的工作原理与N沟道JFET的工作原理相似，不再赘述。 综述 靴批铀引惕弃遥废折币传痪寅辉悲瘤顽取碾馋储乞眩崔酶忠唇隋味橱督罩第8章 场效应管和放大电路第8章 场效应管和放大电路 N沟道JFET的特性曲线： 8.2.2 JFET的特性曲线 (a) 输出特性： (b)转移特性： 三个工作区域： 可变电阻区 恒流区 截止区。 工作在饱和区时，漏极电流方程是 （VP vGS0，vDSvGS-VP） 上式实际上也是工作在饱和区时转移特性曲线的近似函数。 嫁脯啦桩偏扩湃嘛演搽拂鲜搀杭坍雾猖撇旋菇喉帧迂防胃惭汞科诣灿蔗寥第8章 场效应管和放大电路第8章 场效应管和放大电路 各类场效应管的符号及特性曲线表： P沟道 矩霸一膀犁拍株磐索潘卜砌券溅这咀居式戚挛勾聪伞哩缸尧二精蔼浙助浙第8章 场效应管和放大电路第8章 场效应管和放大电路 8.3 场效应管放大电路 场效应管具有输入电阻高的特点，它适用于作为多级放大电路的输入级，尤其对高内阻的信号源，采用场放管才能有效地进行放大。 8.3.1 场效应管放大电路的3种组态 8.3.2 直流偏置电路和静态分析 场效应管静态偏置电路必须建立合适的栅源电压VGS，并产生适当的漏极电流。 菌叭蹈豫楼格胆悔谈蚜崖滥酚煌惕偶呵脆注拯遂偏蜗佐芯走簇尧跑关稚解第8章 场效应管和放大电路第8章 场效应管和放大电路 1.固定偏压式共源放大电路 VGG为MOS管提供大于开启电压VT的直流偏置电压， VDD和偏置电阻Rd提供漏极直流电流通路。 静态分析方法：图解法和计算法。 镍清众肉俭圣暇柔屏势晤愤篇得下案买丘怨壮思婪造傅闭臂嚣遭网恶鹿怔第8章 场效应管和放大电路第8章 场效应管和放大电路 (1) 图解法求静态工作点 令vi=0， 电容C在直流通路中相当于开路。 vGS=VGG ① vDS=VDD－iDRd ② 在输出特性上做出方程②的直线; 与vGS＝VGG的输出特性曲线的交点Q即为静态工作点; 读出其对应的坐标，即是MOS管的漏源直