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离子刻蚀技术现状与未来发展
6 2 Vo l . 6 , N o. 2
1998 4 OPT ICS A N D PR ECISION EN G IN EER IN G A pr il , 199 8
任延同
( 中国科学院长春光学精密机械研究所 长春 130022)
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1997- 10- 06
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1 -
Table Feature of normal ion etching technology
Pr inciple
plasma ero sio n ( PE ) r eaction ion -et ching( RIE ) io n beam etching ( I BE )
o f er osion
r eaction ion io n beam
low er p ar allel r eaction thr ee re action
er osio n m ode shield r ub contr olled by ion m illing aided by
r eaches plant ion pole ion beam
ma gnetic chemical
dat e o f app ear 70 7 5 72 74 76 84 7 5 78 8
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