设计流程简介 1 目的： 希望以简短的篇幅，将公司目前设计的流程做 .doc

目的： 希望以简短的篇幅，将公司目前设计的流程做介绍，若有介绍不当之处，请不吝指教。 设计步骤： 绘线路图、PCB--Layout。 变压器计算。 零件选用。 设计验证。 设计流程介绍(以DA-14B33为例): 线路图、PCB Layout请参考资识库中说明。 变压器计算： 变压器是整个电源供应器的重要核心，所以变压器的计算及验证是很重要的，下面就DA-14B33变压器做介绍。 3.2.1 决定变压器的材质及尺寸: 依据变压器计算公式： B(max) = 铁心饱合的磁通密度(Gauss)。 Lp = 一次侧电感值(uH)。 Ip = 一次侧峰值电流(A)。 Np = 一次侧(主线圈)圈数。 Ae = 铁心截面积(cm2) B(max) 依铁心的材质及本身的温度来决定，以TDK Ferrite Core PC40为例，100℃时的B(max)为3900 Gauss，设计时应考虑零件误差，所以一般取3000~3500 Gauss之间，若所设计的power为Adapter(有外壳)则应取3000 Gauss左右，以避免铁心因高温而饱合，一般而言铁心的尺寸越大，Ae越高，所以可以做较大瓦数的电源。 3.2.2 决定一次侧滤波电容: 滤波电容的决定，可以决定电容器上的Vin(min)，滤波电容越大，Vin(win)越高，可以做较大瓦数的电源，但相对价格亦较高。 决定变压器线径及线数： 当变压器决定后，变压器的骨架即可决定，依据骨架的槽宽，可以决定变压器的线径及导线根数，亦可计算出线径的电流密度，电流密度一般以6A/mm2为参考，电流密度对变压器的设计而言，只能做参考值，最终应以温升记录为准。 决定占空比 (工作周期T )： 由以下公式可决定占空比，占空比的设计一般以45%为基准，若超过50%进入CCM易导致振荡的发生。 NS = 二次侧圈数。 NP = 一次侧圈数。 Vo = 输出电压。 VD = 二极管顺向电压。 Vin (min) = 滤波电容上的谷点电压。 D = 工作周期占空比。 3.2.3 决定Ip值： Ip = 一次侧峰值电流。 Iav = 一次侧平均电流。 Pout = 输出功率（W）。 效率 PWM震荡频率 3.2.4 决定辅助电源的圈数： 依据变压器的圈比关系，可决定辅助电源的圈数及电压。 3.2.5 决定MOSFET及二次侧二极管的Stress(应力): 3.2.6 依据变压器的匝比关系，可以初步计算出变压器的应力是否符合选用零件的规格，计算时以输入电压264V(电容器上为386V)为基准。 3.2.7 其它： 若输出电压为5V以下，且必须使用TL431而非TL432时，须考虑多一组绕组提供光耦及TL431使用。 3.2.8 将所得资料代入公式中，如此可得出B(max)，若B(max)值太高或太低则参数必须重新调整。 3.2.9 DA-14 B33变压器计算： 输出瓦数13.2W(3.3V/4A)，Core = EI-28，可绕面积(槽宽)=10mm，Margin Tape = 2.8mm(每边)，剩余可绕面积=4.4mm. 假设fT = 45 KHz ，Vin(min)=90V，=0.7，P.F.=0.5(cosθ)，Lp=1600 uH 计算式: * 变压器材质及尺寸： * 由以上假设可知材质为PC-40，尺寸=EI-28，Ae=0.86cm2，可绕面积(槽宽)=10mm，因Margin Tape使用2.8mm，所以剩余可绕面积为4.4mm. * 假设滤波电容使用47uF/400V，Vin(min)暂定90V。 * 决定变压器的线径及线数: * 假设NP使用0.32ψ的线 电流密度= 可绕圈数= 假设Secondary使用0.35ψ的线 电流密度= 假设使用4P，则 电流密度= 可绕圈数= 决定占空比： 假设Np = 44T，Ns = 2T，VD = 0.5 ( 使用schottky – Diode ) * 决定Ip值： * 决定辅助电源的圈数: 假设辅助电源=12V NA1=6.3圈 假设使用0.23ψ的线 可绕圈数= 若NA1= 6Tx2P，则辅助电源 = 11.4V 决定MOSFET及二次侧二极管的应力： MOSFET(Q1) = 最高输入电压(380V) + = = 463.6V Diode (D5) = 输出电压(Vo) +x最高输入电压 (380V) = = 20.57V Diode (D4) = = = 41.4V * 其它: 因为输出为3.3V，而TL431的Vref值为2.5V，若再加上photo coupler上的压降约1.2V，将使得输出电压无法推动Photo coupler及TL431，所以必须另外增加一组线圈提供回