升温速率对烧结ITO靶材密度和组织的影响.pdfVIP

A ­ 句 α h T - A WA- 第42 卷第4 期 - - 四 - . 月 ， ， 句 口 、 J l··I- 稀有金属材料与工程 叶 龟 句 - ι E d 2013 年 4 月 RARE METAL MATERlALSAND ENGINEERING 升温速率对烧结 ITO 靶材密度和组织的影晌 程念，刘家祥 (北京化工大学，北京 100029) 摘 要2 采用化学共沉淀法制备 ITO 粉体前驱物，在 600 C 般烧粉体前驱物 4 h. 得到粒径为 20-30 nm 的 ITO 粉体。 添加 1%的聚乙烯醇(PVA)造粒，模压成型制备 ITO 靶材素坯，设置不同的升温速率，在 1550 C 氧气氛下烧结素坯， 得到 ITO 靶材。研究了烧结过程升温速率对 ITO 靶材密度和微观组织的影响。结果表明，在低温阶段 (0-500 C)升 温速率为 3 C /min. 高温阶段 (500-1550 C) 升温速率为 8 C/min 时. ITO 靶材相对密度为 99.58%. 孔洞极少，近 乎完全致密，且靶材宏观上无裂纹。 关键词: ITO 靶材:升温速率:烧结法:相对密度:微观结构 中图法分类号: TF124 文献标识码:A 文章编号: 1002-185X(2013)04-0857-04 ITO (indium tin oxide)膜即锢锡氧化物薄膜，具有 纯度大于等于优级纯的中和剂氨水至混合溶液的 pH 4 值为 8-9 ，再持续搅拌 2 h，使氢氧化物沉淀完全:将 导电性好(电阻率为 10- n.cm 数量级)、对可见光透明 和对红外光反射能力强等特点，被广泛用于电学，光 沉淀物离心洗涤干燥，在 600 C 锻烧粉体前驱物 4 h , 制备出平均粒径为 20-30 nm 的 ITO 粉体。添加 1%的 学等领域，如液晶显示器(LCD) ，电致彩色显示器 聚乙烯醇(PVA)，分为两组， A 组在 180 MPa 下模压 (ECD)，平板显示器(FPD)，太阳能电池及其它光电子 器件[1-4]0 ITO 薄膜通常采用直流磁控溅射法制备。制 成型，制成相对密度为 42%的素坯;B 组在 200 MPa 下模压成型，制成相对密度为 47%的