flash闪存封装.pptx

闪存封装 闪存的封装方式 NAND flash市场和应用 预计全球NAND闪存市场今年增长率将达8% 智能手机：2011年为31亿GB。预计2012年的智能手机销量将达到6.26亿部，平均每部手机使用的NAND闪存容量为9GB,总容量将达到57亿GB。2016年平均每部手机使用的NAND闪存容量将增加到18.9GB NAND flash市场和应用 今年NAND行业——超级本电脑。NAND厂商一直在极力宣传在超级本中使用固态硬盘。 由于超级本电脑重量轻、电池续航时间长和启动速度快，因此对企业用户和消费者用户都有很大的吸引力。这将推动NAND产品在PC领域的消费量占其总消费量比例上升到15%以上。 闪存封装的发展现状 面对如此巨大的市场，国外发达国家正积极利用NAND发展的有利时机大力发展NAND芯片封装技术，在这方面，日本，韩国，美国正领导着最先进NAND封装技术的发展。其代表企业有日本东芝公司(Toshiba)，韩国三星(Samsung)公司和美国英特尔(Intel)公司。东芝，三星等公司都在实验室中开发出了多达16die的NAND芯片封装技术，代表着最新的NAND封装工艺。 闪迪半导体（Sandisk），日月光半导体(ASE)，安靠科技(Amkor)，矽品(SPIL)，星科金朋(STATSChipPAC)等国际封装公司也全部落户中国，这些先进国家或地区的封装公司带来了先进的技术与理念，为国内半导体封装业培养了一大批人才；同时国内本上企业也正在努力追赶国际先进技术，如南通富士通，江阴长电等。 闪存封装方式 发展趋势 发展历程 缩小体积 低成本 TSOP封装 TSOP (Thin Small Outline Package 薄型小尺寸封装)在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面贴装技术）直接附着在PCB板的表面。 TSOP最早被应用在制造笔记型计算机所用的名片大小模块上。到了上个世纪80年代，TSOP出现，得到了业界广泛的认可，时至今日仍旧是闪存封装的主流技术之一。 TSOP封装优点 TSOP生产工艺 单芯片TSOP生产工艺流程比较简单，只需要经过一次贴片、一次烘烤、一次引线键合就可以了，流程如图所示： FBGA封装 FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）细间距球栅阵列封装。 主要应用于计算机的内存、主机板芯片组等大规模集成电路的封装领域，FBGA封装技术的特点在于虽然导线数增多，但导线间距并不小，因而提升了组装良率，虽然功率增加，但FBGA能够大幅改善电热性能，使重量减少，信号传输顺利，提升了可靠性。 FBGA的优点 COB封装 COB（Chip on board）工艺，是指厂商为节省成本，没有采用标准的闪存芯片+控制芯片独立封装的形式，而是将闪存芯片和控制器芯片直接连接，封装在一体，并固定于印刷线路板上的生产方式。 COB封装优点 COB封装工艺流程 PIPTM（prodoct in package）专利技术 PIPTM小型存储卡一体化封装技术，由COB封装发展而来，是胜创公司研发的（kingmax）专利技术。 该技术整合了PCB基板组装及半导体封装制作流程,将小型存储卡的控制器、闪存集成电路、基础材质、无源计算组件直接封装。 可以将存储卡进行单面或双面封装,但封装的结构是一样的，同时应用闪存芯片堆叠封装技术。 优点：使数码存储卡达到完全防水、耐高温、耐高压、读写速度快的效果,使数据存储更安全可靠。 MCP封装(3D) 为了达到更高的容量，现在的NAND闪存芯片通常都会采用MCP(多芯片封装)形式，将多颗die整合在一起。封装体内部采用芯片堆叠和引线键合工艺。 该技术已经广泛应用在手机，MP3内存，固态硬盘SSD等嵌入式NAND闪存产品中。 不过工艺和技术所限，一般每颗闪存内只有两个或四个die，八个的都极其罕见。如果使用传统MCP封装技术，超过四个NAND die的堆叠就会严重影响性能，并且需要两个或更多通道才能获得类似的吞吐带宽。 MCP封装优点 实例1 加拿大公司MOSAID Technologies与2012年4月6日宣布，他们已经试产了全球第一颗采用惊人十六die封装的NAND闪存芯片，让他们和谐地运行在了一个高性能通道内。 这颗闪存采用了MOSAID独家的HLNAND MCP技术，利用两个HyperLink NAND接口将多达16颗业界标准的4GB NAND Flash die放到了一起，总容量达到了64GB。 该闪存的封装格式为100-ball BGA，长宽尺寸仅18×14毫米。 “指甲盖的战争” 实例2 COB封装的microSD卡简单内部构造图。 金线是各元件之间的连接线，中央的PCB板上是晶元Chip堆叠区域，一般来说卡的容量取决于这个地区的晶元Chip堆叠。这又取决于