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论钛-瓷结合力影响因素分析

论钛-瓷结合力影响因素分析   论文关键词:结合 因素 影响 分析   论文摘要:钛-瓷结合理论分为机械结合和化学结合两部分。如今普遍认为,绝大多数钛-瓷修复系统的结合主要靠化学结合,个别系统主要为机械结合。合金的氧化行为决定了其与瓷结合的潜力,表面有强附着性氧化膜的合金能与瓷形成良好的结合,而氧化膜附着性差的合金与瓷的结合力也差。不形成外在氧化膜的合金,如银-钯合金,其金-瓷结合则为机械结合。钛-瓷之间的结合主要靠化学结合,钛的氧化行为是影响钛-瓷结合力的主要因素。影响钛-瓷结合力的另一个主要因素,是由于金-瓷热膨胀系数不匹配而造成的瞬时热应力和残余热应力。      一、钛的氧化行为对钛-瓷结合力的影响   钛在低于800℃时,短时间内可形成紧密粘附于其表面的氧化膜,而在高温下则会形成多孔的、缺乏粘附力的氧化膜。因此??对于钛氧化行为对钛-瓷结合力的影响必须考虑到以下因素。   1.升温时氧化层的形成。氧作为溶质特别是在高温条件下很容易溶入钛中,而少量的O2溶入Ti中便可明显地改变Ti的性能。Adachi等观察了纯钛和Ti-6Al-4V合金在650℃至1 000℃升温过程中的瞬时氧化行为,发现710℃时Ti的氧化膜已有相当的厚度。750℃时Ti为紫色到兰色,提示氧化膜厚度为32nm;而Ti-6Al-4V表面只呈黄色到金黄色,提示氧化膜厚度仅有11nm。在1 000℃时,二者的氧化膜厚度均为1 000nm且从金属表面剥脱。该实验同时说明,即使在低于800℃时熔附瓷也不能消除氧化过程。用热动力学方法观察,基于Ellinghum′s曲线在700℃~1 000℃时Ti/O2的溶解平衡,要求氧的压力为10-30~10-42个大气压。因此,用现有的牙科真空烤瓷炉,在如此低的氧压下防止过度氧化,几乎是不可能和不现实的。钛表面高温氧化的最常见氧化物是TiO2,所以TiO2必然成为钛-瓷修复系统的结合介质。   2.自身氧化层与钛的结合。Menis等曾将一种低熔瓷在800℃时熔附于铸钛表面,发现其结合力虽然与普通瓷与Ni-Cr的结合力相当,但金瓷分离发生在氧化物与金属界面间,提示氧化物与钛的结合力较低。Yilmaz的氧化膜结合力实验显示,Ti的低温氧化膜结合力(39.1 N/mm2)明显大于Ni-Cr合金(32.1 N/mm2);Ti 样本的断裂面均位于氰基丙烯酸粘固层内,说明Ti氧化膜结合力高于氰基丙烯酸粘固剂的粘着力。Adachi等的研究发现,钛与Ti-6Al-4V合金低温氧化的样本经多次模拟烤瓷程序的烧烤后,其氧化膜的结合力明显下降。以往认为在高温时TiO2不能形成保护性膜,是因为氧化膜内形成向内增长的应力,当氧化膜接近1 000 nm厚时,应力的增长明显超过了膜的强度,导致了膜的折裂并将新的金属面暴露于大气中。然而,Whittle和Stringer在分析了不同氧化膜结合模型的实验结果后,认为任何一种试图通过释放应力或杜绝应力形成以改善氧化物的结合模型都不能被完全接受。氧化物与其底层金属的结合明显地依赖于氧化物与金属间形成的原子键。钛在高温时形成疏松的TiO2膜,氧和钛离子可通过此膜扩散,氧化膜下的金属表面继续氧化,致使氧化膜增厚。阳离子通过氧化膜向外扩散的结果是使金属内部出现晶格缺陷,若不阻止这些晶格缺陷的形成,氧化膜则将发生剥脱。因此,氧 化物中应力的增长可能是这一过程的结果,而阳离子通过氧化膜向外扩散伴随着金属支架内部晶格缺陷的形成,才是导致氧化膜脱落的真正原因。可以认为,低温氧化的试件经多次模拟烤瓷程序的烧烤后,其氧化膜结合力明显下降是继续氧化所造成的。   3.瓷与钛自身氧化层的结合。钛与瓷属于化学结合,其结合力有赖于瓷与氧化层及氧化层与金属的结合力。目前尚无法测定瓷与钛自身氧化层的结合力,有实验发现钛瓷之间的断裂绝大多数发生在氧化层与金属间的界面;也有实验发现钛瓷之间的断裂全部发生在氧化层内,说明瓷与氧化层的结合力至少大于氧化物与金属的结合力及氧化膜自身的强度。Kononen研究发现钛氧化膜与瓷在烤瓷温度下发生的化学反应对钛瓷结合有重要影响。他采用热力学计算法得出Ti-Si-O在1 023K时的反应平衡相,基于热力学计算和双向扩散实验得出该系统最可能的扩散途径是:SiO2-Ti5Si3(O)-Ti(O),即反应层由钛的氧固溶层和含氧的硅化物层(富硅层)组成,硅化物可能是Ti5Si3(O)。这一结果也得到反应区化学成份分析结果的支持并发现钛的氧固溶层比硅化物层厚得多。可以认为,以SiO2为基质的牙科陶瓷材料与纯钛在给定的时间和烧烤温度(720℃~750℃)下接触时,钛自身氧化膜和瓷层中的氧化物都将发生分解,分解的元素溶入钛中并与钛元素发生化学反应,所形成的反应层(氧固溶层和富硅层)在热应力下容易折断

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