数字电子技术_09存储器简介介绍.ppt

9.1.1 随机存取存储器（RAM） 9.1.2 只读存储器（ROM） 9.1.3 存储器的应用 9.1.4 其它类型存储器简介 图9-13 八种波形发生器电路图 波形选择开关 256进制计数器 存八种波形的数据 经8位DAC转换成模拟电压。 S3 S2 S1 波 形 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 0 0 正弦波 000H～0FFH 0 0 1 锯齿波 100H～1FFH 0 1 0 三角波 200H～2FFH ┇ ┇ ┇ 1 1 1 阶梯波 700H～7FFH 表9-2 八种波形及存储器地址空间分配情况 S1、S2和S3：波形选择开关。 　　两个16进制计数器在CP脉冲的作用下，从00H～FFH不断作周期性的计数，则相应波形的编码数据便依次出现在数据线D0～D7上，经D/A转换后便可在输出端得到相应波形的模拟电压输出波形。 * * 第9章 存储器简介 9.1.1 随机存取存储器（RAM） 1 .存储器容量的扩展 9.1 半导体存储器 9.1.3 存储器的应用 　　　 9.1.2 只读存储器（ROM） 2．EPROM的应用 9.1.4 其它类型存储器简介 第9章 存储器简介 　　本章内容： 　　随机存取存储器RAM和只读存储器ROM的结构、工作原理及存储器容量扩展的方法； 9.1 半导体存储器 　　数字系统中用于存储大量二进制信息的器件是存储器。 　　穿孔卡片→纸带→磁芯存储器→半导体存储器 　　半导体存储器的优点：容量大、体积小、功耗低、存取速度快、使用寿命长等。 　　半导体存储器按照内部信息的存取方式不同分为两大类： 　　1、只读存储器ROM。用于存放永久性的、不变的数据。 　　2、随机存取存储器RAM。用于存放一些临时性的数据或中间结果，需要经常改变存储内容。 　　随机存取存储器又叫随机读/写存储器，简称RAM，指的是可以从任意选定的单元读出数据，或将数据写入任意选定的存储单元。 　　优点：读写方便，使用灵活。 　　缺点：掉电丢失信息。?　 　　分类： SRAM （静态随机存取存储器） 　　　 DRAM （动态随机存取存储器） 1. RAM的结构和读写原理 　　 　（1）RAM 的结构框图 图8-1 RAM 的结构框图 I/O端画双箭是因为数据即可由此端口读出，也可写入 　　① 存储矩阵 共有28（＝256）行×24（＝16）列共212（＝4096）个信息单元（即字） 每个信息单元有k位二进制数（1或0） 存储器中存储单元的数量称为存储容量（＝字数×位数k）。 　　② 地址译码器 行地址译码器：输入8位行地址码，输出256条行选择线（用x表示） 列地址译码器：输入4位列地址码，输出16条列选择线（用Y表示） ③ 读写控制电路 　 当R/W =0时，进行写入(Write)数据操作。 当R/W =1时，进行读出(Read)数据操作。 　　图9-2 RAM存储矩阵的示意图 　　2564（256个字，每个字4位）RAM存储矩阵的示意图。 　　如果X0＝Y0＝1，则选中第一个信息单元的4个存储单元，可以对这4个存储单元进行读出或写入。 （2）RAM 的读写原理 （以图9－1为例） 　　 当CS=０时，RAM被选中工作。　　 若 A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=000000000000 表示选中列地址为A11A10A9A8=0000、行地址为A7A6A5A4A3A2A1A0存储单元。 此时只有X0和Y0为有效，则选中第一个信息单元的k个存储单元，可以对这k个存储单元进行读出或写入。 　　若此时R/W＝1，则执行读操作，将所选存储单元中的数据送到I/O端上。 　　若此时R/W=0时，进行写入数据操作。 当CS=1时，不能对RAM进行读写操作，所有端均为高阻态。 　 （3）RAM的存储单元按工作原理分为： 静态存储单元：利用基本RS触发器存储信息。保存的信息不易丢失。 动态存储单元：利用MOS的栅极电容来存储信息。由于电容的容量很小，以及漏电流的存在，为了保持信息，必须定时给电容充电，通常称为刷新。 2. 静态读写存储器（SRAM）集成电路6264简介