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纳米尺度栅线结构的线边缘粗糙度分析和表征.pdf
第31卷第6期 计 量 学 报 V01.31,№6
1 ACTAMETROLOGICASINICA
2010年1月
doi:10.3969/j.issn.1000-1158.2010.06.01
纳米尺度栅线结构的线边缘粗糙度分析和表征
赵凤霞1, 蒋庄德2, 景蔚萱2
(1.郑州大学机械工程学院,河南郑州450001;
2.西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,陕西西安710049)
摘要:为了对线边缘粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR)进行分析和表征,采用电子束光刻工艺和感应耦合等
离子体刻蚀工艺制备了两种纳米尺度栅线结构,用扫描电子显微镜(SEM)对所制备结构进行了检测和定性分析。
基于离线SEM图像分析法提取了纳米栅线结构的线边缘轮廓。将所提取的线边缘轮廓视为随机信号,分别采用
均方根偏差or、偏斜度鼬、峭度肋、高高相关函数和功率谱密度函数表征了LER/LWR的幅度特征、形状特征和空
间特征,研究了LER/LWR各参数从光刻图形到刻蚀图形的变化,实现了LER/LWR的定量分析和表征。
关键词:计量学;纳米栅线结构;线边缘粗糙度;线宽粗糙度;扫描电子显微镜
中图分类号:TB921 文献标识码:A 文章编号:1000—1158(2010)06-0481-05
andCharacterizatiOnOf
Analysis
Line ofNanostructures
EdgeRoughness
ZHAO Wei—xuan2
Feng.xial,JIANGZhuang.de2,JING
ofMechanical 450001,China;
(1.School Engineering,ZhengzhouUniversity,Zhengzhou,Henan
ZState for atXi’an 710049,China)
KeyLaboratoryManufacturingSystemsEngineeringJiaotoagUniversity,Xi’an,Shaanxi
line linewidth kindsof
Abstract:Forcharacterizingedgeroughness(LER)androughness(LWR),two
nanostructureswerefabricatedwithelectronbeam and
lithographyprocessinductivelycoupledplasmaetchingprocess.The
fabricatednanostrueturesweremeasuredand with electron theirline were
analyzedscanning microscopy(SEM),andedges
extractedmeanofanoff—lineSEM onrandom mean deviation
image processtheory,root
by analysisalgorithm.Bas
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