GH302光电耦合器.PDF

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GH302光电耦合器

GH302 光电耦合器 1 外形图与逻辑图 2 最大额定值(Tamb=25 ℃) 项 目 符 号 额 定 值 单 位 最大正向电流 IFM 40 mA * 最大正向脉冲电流 IPM 1 A 反向电压 VR 5 V 最大集电极—发射极连续电压 VCEO 40 V 最大耗散功率 PCM 75 mW 入出间隔离电压 VISO 1000 V 3 光电参数(Tamb=25 ℃) 参数 符号 条件 规范值 单位 正向电压 V I =10mA ≤1.3 V F F 反向电流 I V =5V ≤10 μA R R 截止电流 ICEO VCE=30V ≤0.1 μA 饱和压降 V I =20mA, Ic=1mA ≤0.25 V CE(sat) F 集电极—发射极击穿电压 VBR(CEO) Ic=100 μA ≥40 V 电流传输比 CTR IF=10mA, VCE=10V ≥60 % IFP=25mA, VCE=10V 上升/下降时间 tr/tf ≤4/4 μs RL=50 Ω 绝缘电阻 RISO V=500V ≥1010 Ω 隔离电容 CISO f=1MHz ≤4 pF 6

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