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Cu引线框架氧化对功率器件中Cu_EMC界面的影响
器件制造与应用
Manufacturing and Application of Device
doi :103969/ j issn1003353x201002011
Cu 引线框架氧化对功率器件中 Cu/ EMC 界面的影响
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方行 , 方强 , 王 , 俞宏坤 , 邵雪峰
( 1 复旦大学 材料科学系 , 上海 200433 ; 2 苏州快捷半导体公司 , 江苏 苏州 2 1502 1)
摘要 : 按照实际制作器件的工艺条件和方法 , 采用不同的 Cu 引线框架氧化时间 , 制备了多
组无芯片的封装器件 , 并打磨 Cu/ EMC 界面的样品。然后对样品进行了剪切实验和界面微观结构
观察 。剪切实验发现 , 适当的 Cu 预氧化时间能有效提高 Cu/ EMC 界面强度 。Cu/ EMC 界面的
SEM 照片显示 , 150 min 的氧化时间使界面产生了大量不同形状的氧化物颗粒 , 断裂沿 Cu 氧化层
或 EMC 过渡层发生 , 导致界面剪切强度离散 。考虑到 Cu 氧化对 Cu/ EMC 界面的影响及工艺成
本 , 氧化时间范围为165 ℃下 8～12 min 。
关键词 : 铜/ 环氧模塑料界面 ; 氧化 ; 功率器件 ; 剪切强度
中图分类号 : TN406 文献标识码 : A 文章编号 : 1003353X (2010)
Effect of Cu LeadFra me Oxidation Time on Cu/ EMC Interfaces
in Power Devices
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Fang Xing , Fang Qiang , Wang Jun , Yu Hongkun , Shao Xuefeng
( 1Dep artment of M aterials Science , Fudan University , S hanghai 200433 , China ;
( ) )
2 Fairchild Semiconductor S uzhou Co, L td. , S uzhou 215021, China
Abstract : The bare die packages with different oxidation time of Cu leadframe were fabricated in
standard commercial process , and Cu/ EMC interfaces were formed by polishing Shear test and microscale
observation on the delaminated interface were carried out The shear test results indicate that appropriate
oxidation time can effectively
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