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MOSFET在开关电路中的应用
广州致远电子股份有限公司 MOSFET 在开关电路中的应用
MOSFET 在开关电路中的应用
在一些简单的小功率开关电路中,利用双极结型三极管(BJT,Bipolar Junction
Transistor)作为开关管时可能会遇到输入电流不足,BJT 工作状态无法正确配置,进而无
法实现电路功能的情况。对于这种BJT 流控器件的限制,事实上可以采用MOSFET 压控器件
来代替。
在一些简单的小功率开关电路中,利用双极结型三极管(BJT,Bipolar Junction
Transistor)作为开关管时可能会遇到输入电流不足,BJT 工作状态无法正确配置,进而无
法实现电路功能的情况。
例如图1 所示的一个使用BJT SS8050LT 作为开关管的加热控制电路,BJT 为共射极连
接。将BJT 视为一个二端口网络,输入端口为电阻 与NTC 型热敏电阻 构成的基极分压
回路,参数分别为基极-发射极电压 以及流入基极的电流 ;输出端口没有连接任何负载,
参数分别为集电极与发射极两端的电压 和集电极电流 。49Ω基极电阻作为发热器件,
由8 个390Ω 电阻并联而成。
图1 BJT 加热控制电路
图1所示的加热控制电路设计的功能可描述为:当环境温度为常温25℃时,热敏电阻
的阻值为 10.000kΩ,基极-发射极电压 ,BJT 未导通,
电路未工作;当环境温度下降到10℃时,热敏电阻 的阻值增大至17.958kΩ,基极-发射
极电压 ,BJT 导通,集电极电流 流过基极电阻,电阻
发热,电路正常工作。
显然,电路中BJT 的工作状态需要处于饱和区内,保证电压尽可能多的电压落在基极电
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广州致远电子股份有限公司 MOSFET 在开关电路中的应用
阻的两端,提高电阻的发热功率。根据BJT 的工作原理可知,BJT 的发射极和集电极均处于
正向偏置的区域为饱和区。在这一区域内,一般有 ,因而集电极内电场被削弱,
集电极收集载流子的能力减弱,这时电流分配关系 不再满足, 随 增加而迅速上
升,如图2 所示。饱和区内的 很小,称为BJT 的饱和压降 ,其大小与 及 有关。图
中虚线是饱和区与放大区的分界线,称为临界饱和线。对于小功率管,可以认为当
(即 )时,BJT 处于临界饱和(或临界放大)状态。
图2 BJT SS8050LT 共射极连接时的输出特性曲线
要想使 BJT 工作在饱和区内,就要增大基极-发射极电压 ,而环境温度越低,热敏
电阻阻值越大,从而增大 。但是必须注意到,BJT 输入端口的基极分压回路电阻越大,
输入电流则越小。具体来说,在 BJT 导通后,基极-发射极电压 ,基极分压回路
总电流 ,从图中可以看出,流入基极的电流 太小,BJT 无法工作
在正常状态下,电路功能无法实现。而且由于NTC 型热敏电阻的器件选型限制,无法改用更
小阻值的分压电阻来降低基极分压回路的总电阻值。
对于这种BJT 流控器件的限制,可以采用MOSFET 压控器件来代替。
一、原理描述
MOSFET 全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,中文名称为金
属-氧化物-半导体场效应管。随着制造工艺的成熟,MOSFET 兼有体积小、重量轻、耗电省、
寿命长等特点。而且MO
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