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AlGaN_GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究
第 57 卷 第 5 期 2008 年 5 月 物 理 学 报 Vol . 57 ,No . 5 ,May ,2008
( )
10003290200857 05 317105 ACTA PHYSICA SINICA 2008 Chin . Phys. Soc .
Al Ga NGa N 肖特基结参数分析与电流运输机理研究
王欣娟 张金凤 张进城 郝 跃
( 西安电子科技大学 ,宽禁带半导体技术重点实验室 ,西安 710071)
(2007 年 10 月 1 日收到 ;2007 年 10 月 30 日收到修改稿)
通过对 Al GaNGaN HEMT 器件肖特基栅电流输运机理的研究 ,在变温下采用 IV 法对 Al GaNGaN 上的NiAu 肖
特基势垒高度和理想因子进行了计算. 通过对不同电流机理的分立研究 ,得到了更为准确的势垒高度值 . 通过
b
分析温度在 300 —550 K 之间肖特基反向泄漏电流的特性 ,得出结论 :Al GaN 材料的表面漏电不是 HEMT 器件反向泄
漏电流的主要来源.
关键词 : Al GaNGaN 异质结 , 肖特基结 , 理想因子
PACC : 7280E , 7360L
电子发射 ,热电子场发射和场发射三种 ,随着工作温
1 引 言 度的不同以及肖特基二极管的制作材料差异 ,其中
[5 ]
一种或者两种将会起到主要的作用 .
( )
Al GaNGaN异质结的高电子迁移率晶体 HEMT Tan 等人研究了Al GaNGaN 异质结表面泄漏电
在高温器件及大功率微波器件方面有非常好的应用 [6 ]
流对肖特基泄漏电流的影响 . Yutaka Tokuda 等人
前景. 肖特基质量好坏是 Al GaNGaN HEMT 特性的 ( )
利用深能级瞬态谱 DLTS 研究表明不同的温度下
决定性因素之一 ,栅泄漏电流是低频噪声的主要来 有不同的陷阱能级被激活 ,这些陷阱能级的产生将
源[ 1] ,栅反向击穿电压决定着器件的工作电压和功 [7 ]
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