- 1、本文档共8页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
SVF8N80T(F)说明书_1.2
SVF8N80T/F 说明书
8A 、800V N沟道增强型场效应管
描述
SVF8N80T/F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采
用士兰微电子F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的
工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优
越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换
器,高压H 桥PW M 马达驱动。
特点
∗ 8A ,800V,RDS(on)(典型值)=1.42Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装
SVF8N80T TO-220-3L SVF8N80T 无铅 料管
SVF8N80F TO-220F-3L SVF8N80F 无铅 料管
杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.2 2013.07.15
Http:// 共8页 第1页
士兰微电子 SVF8N80T/F 说明书
极限参数(除非特殊说明,TC=25°C)
参数范围
参 数 符 号 单位
SVF8N80T SVF8N80F
漏源电压 VDS 800 V
栅源电压 VGS ±30 V
T =25°C 8.0
C
漏极电流 ID A
T =100°C 5.1
C
漏极脉冲电流 IDM 32.0 A
耗散功率(T =25°C ) 178 57 W
C
PD
- 大于25°C 每摄氏度减少 1.42 0.46 W/°C
单脉冲雪崩能量(注 1) EAS 534 mJ
工作结温范围
您可能关注的文档
最近下载
- 《包装工程》投稿写作模板 模板使用说明: 1. 请将稿件直接 ....doc
- 百胜包装品工厂质量体系审核纲要及评估细则 V2012.pdf VIP
- 个人信用报告征信详细版纸质版2024年2月最新版带水印可编辑-实线.pdf
- 第三十届WMO省测特训营6年级第二讲——寻找透明的积木.docx VIP
- 第三十届WMO省测特训营6年级第二讲——课后练习题含答案.docx VIP
- 第三十届WMO省测特训营6年级第一讲——课后练习题含答案.pdf VIP
- PBL病例—休克【24页】(最新文档).pptx VIP
- 故事——小羊过桥.ppt
- 征信简版电子版PDF个人信用报告最新版2024年可编辑带水印模板.pdf
- 食品用包材供应商现场审核方案(检查表).xls VIP
文档评论(0)