SVF8N80T(F)说明书_1.2.pdf

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SVF8N80T(F)说明书_1.2

SVF8N80T/F 说明书 8A 、800V N沟道增强型场效应管 描述 SVF8N80T/F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采 用士兰微电子F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的 工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优 越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换 器,高压H 桥PW M 马达驱动。 特点 ∗ 8A ,800V,RDS(on)(典型值)=1.42Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装 SVF8N80T TO-220-3L SVF8N80T 无铅 料管 SVF8N80F TO-220F-3L SVF8N80F 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.2 2013.07.15 Http:// 共8页 第1页 士兰微电子 SVF8N80T/F 说明书 极限参数(除非特殊说明,TC=25°C) 参数范围 参 数 符 号 单位 SVF8N80T SVF8N80F 漏源电压 VDS 800 V 栅源电压 VGS ±30 V T =25°C 8.0 C 漏极电流 ID A T =100°C 5.1 C 漏极脉冲电流 IDM 32.0 A 耗散功率(T =25°C ) 178 57 W C PD - 大于25°C 每摄氏度减少 1.42 0.46 W/°C 单脉冲雪崩能量(注 1) EAS 534 mJ 工作结温范围

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