Bi Ti n 3O 掺杂BaTiO3基X8R陶瓷微观结构与介电性能.pdfVIP

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2017-06-01 发布于天津
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Bi Ti n 3O 掺杂BaTiO3基X8R陶瓷微观结构与介电性能

第 28卷第 8期无机化学学报 Vo1．28No．8 2012年 8月 CHINESEJOURNALOFINORGANICCHEMISTRY 1743．1748 BiTi n 3O 掺杂BaTiO3基 X8R陶瓷微观结构与介电性能肖谧王新张倩倩丁华明 (天津大学电子信息工程学院，天津 300072) 摘要：研究了Bia(Ti n ，O。：掺杂对钛酸钡基陶瓷微观结构和介电性能影响。结果表明，掺杂Biffi。oSn ，O：后钛酸钡基陶瓷晶粒明显长大，同时烧结温度可由 1280℃降低至 1180oC。系统的介电性能和 Bi (Ti。Sn ，O，：的掺杂量有密切关系。当 Bi4(Ti。Sn 3O。：的掺杂量从 O．5mol％增加到2mo1％，体系的居里峰被明显压低和展宽，当掺杂量为 2mol％时居里峰变得不明显。当Bi4(TiSn O：的掺杂量从 0．5mol％增加到2mo1％，系统的居里温度由131℃升高至 139oC。当Bi4(Ti。n ，O。：的掺杂量为 1mol％时，钛酸钡基陶瓷介电常数为 1930，介电常数温度变化率为5％(一55℃)，13％(134oC)，一8％(150oC)，满足X8R标准。关键词：晶粒生长；介电性能；钛酸钡；X8R 中图分类号：TQ174．758．22 文献标识码：A 文章编号：1001—4861(2012)08—1743—06 DielectricPropertiesandMicrostructureofBi4(Ti n 3O12Doping BaTiO3-BasedX8R Ceramics XIAOMi WANGXin ZHANGQian-Qian DINGHua—Ming (SchoolofElectronicandInformationEngineering,TianjinUniversity,Tianjin300072,China) Abstract：TheeffectofBi4(Ti1，3Sn)3012additiononthemicrostructureanddielectricpropertiesofBaTiO3一based ceramicswasinvestigated．ThegrainsizeissignificantlyenhancedandthesinteringtemperatureofBaTiO3一based ceramicscouldbeloweredtol180oCwhenBi4(Ti1t3Sn~)3012isintroduced．Thedielectricpropertiesarestrongly correlatedwiththedopingcontentofBi4(Ti13／Snz3)3012．Thedielectricconstantpeakandthevariationrateof capacitanceatCurietemperatureismarkedlydepressedandbroadenedwhentheBi4(Ti1，3Sn 3O12contentis increasedfromO．5mo1％ to2．0mo1％．Whenthecontentis2mo1％．theCuriepeakbecomesinconspicuous．TheCurie temperatureisshiftedrfom 131℃ to139℃ whentheBi4(1ri1BSn )3Ol2contentisincreasedrfom 0．5mo1％ to 2．0mo1％．Whendopinglmo1％Bi4(Tiv3Sn~3)3O12，theBaTiO3一basedceramicsexhibitadielectricconstantof1930， thevariationofdielectricconstantascomparedwiththatatroom temperatureisabout5％ at-