薄膜沉积技术及工艺培训-7月23日.pdf

薄膜沉积技术与工艺 加工平台 1 主要内容  引言  薄膜的一般特性  物理气相沉积（PVD ） 原理与工艺  化学气相沉积（CVD ）原理与工艺  氧化 原理与工艺 2 主要内容  引言  薄膜的一般特性  PVD 原理与工艺  CVD 原理与工艺  氧化 原理与工艺 3 MOS晶体管中的薄膜层 氮化硅 顶部 氧化层 金属层 ILD 氧化层 多晶硅 场氧化层 多晶硅金属 + + + + n n p p 金属前氧化层 n 侧壁氧化层  p 外延层 栅氧化层 + p 硅衬底 4 主要内容  引言  薄膜的一般特性  PVD 原理与工艺  CVD 原理与工艺  氧化 原理与工艺 5 薄膜的一般特性  什么是薄膜  理想的固态薄膜  薄膜的台阶覆盖  薄膜的深宽比  薄膜的特性  薄膜的生长阶段 6 理想的固态薄膜 厚度 宽度 和衬底比较薄膜是非常薄的 度 什么是薄膜 长 相对于体材料而 言，采用特殊的 薄膜层