2012秋模拟复习要点题解.docVIP

模拟电子技术基础 期末复习要点 一、二极管、稳压管、三级管、场效应管及MOS管的工作原理，以外部特性曲线为主。 二极管：正向特性的三种等效电路模型。反向断开模型，IS概念。 稳压管稳压管：正向与二极管相似，反向工作在稳压（UZ）状态条件:IZIZmin。不管二极管，稳压管，安全工作条件，通过管子的电流不能超过其额定工作电流。 由稳压管与二极管构成电路分析：期中考试电路可作为练习内容。 三极管输入特性、场效应管、MOS管电压转移特性，输出特性：三个工作区要清楚。 二、七个基本电管放大电路：固定式偏置共射极放大电路、分压式偏置共射极放大电路、电压反馈是式偏置共射极放大电路、共基极放大电路，共集电极放大电路，自生偏压场效应管放大电路（共源极、共漏极），分压式偏置场效应管放大电路（共源极、共漏极）及差分放大电路。要求： 1、会做出电路的直流通路（电容两端短接、ui两端短接余下的电路结构），计算电路的静态工作点，即就是：晶体管ICQ=IEQ、IBQ、UCEQ、UBEQ=0.7V的值，要领：从计算IBQ相关回路入手；场效应管的UGS、IDS的值。 2、会作出交流通路，并画出小信号h参数微变等效电路。计算放大电路的电压放电倍数，输入、输出电阻。要点：以 Ib或Vgs为中间变量求解。 三、负反馈放大电路 1、反馈类型判断、包括串并联（反馈信号在输入与输入信号的连接关系），电压电流（反馈信号取自于输出电压或电流）、正负反馈（反馈信号与输入信号的瞬时极性关系）。 2、反馈放大器对放大作用的影响（四点：放大作用、输入输出电阻、通带、失真）。 3、会计算深度负反馈条件下放大电路的电压放大倍数。 四、集成运算放大器。 1、理想集成运算放大器的特点：Aid、KCMR无穷大、Rid无穷大、Ro很小。因此有UN=UP（虚短）、IN=IP=0（虚断），输出接上负载与不接负载效果一样的推论。这些推论是分析集成运算放大器构成电路所常用的手段。 2、集成运算放大器构成各类运算电路分析计算：比例、加法、减法、微分、积分等。 五、功率放大器。 1、功率放大器的电路类型：甲类功率放大器、变压器耦合功率放大器（50%），OTL（单电源推挽功率放大器78.5%）、OCL（双电源推挽功率放大器78.5%），BTL(桥式推挽功率放大器78.5%)输出功率电源提供功率，晶体管消耗功率的计算。 ，， 。 2、消除功率放大器交越失真的方法，（二极管产生偏压电路）。 六、正弦、非正弦信号产生电路。 1、正弦信号产生电路的三种基本形式电路（文氏桥式电路、变压器反馈正弦振荡电路，三点式正弦振荡器：电感反馈、电容反馈、石英晶体振荡器）电路构成，振荡频率计算。 2、电压比较器的三种形式（单门限电压比较器、双门限电压比较器、窗口电压比较器）门限电压的确定，电压跳转方向（电压传输特性）要清楚。 3、由门限电压比较器构成的矩形波发生器，三角波发生器电路，及周期计算。 七、整流电路 1、整流滤波稳压电路的构成。 2、整流二极管参数确定（最大整流电流，最大承受反向工作电压确定）。 3、滤波电容大小，耐压（额定工作电压）确定。 4、三端稳压器件选用，型号参数确定。练习题、题库1 一、选择填空题 1..PN结加正（反向）向电压时，空间电荷区将 D ，（ B ）。 A 动态平衡状态 B. 变宽 C. 基本不变 D . 变窄 2..晶体三极管的参数中， ()代表 C ，（ B ）。 A. 共基极放大倍数 B .共射极交流电流放大倍数 C. 共射极直流电流放大倍数 D、共基极直流电流放大倍数。 3.、Vthvg0（-Vpvg0）时，能够工作在恒流区的场效应管有 C ，（ D ） 。 A. N结型场场效应管 , B. P沟道结型场场效应管 C. N沟道增强型MOS管 D,. P沟道增强型MOS管 E. 耗尽型P沟道MOS管，F. 耗尽型N沟道MOS管, G增强型N沟道MOS管 。 4.晶体管各个电极的直流电位（电流）如图1.4所示，该管是 B ，（ F ）。 A， PNP硅管,对应电极是12V(B),3.7V(E),3V(B) B， NPN硅管对应电极是12V(C),3.7V(B),3V(E) C., NPN锗管,是对应电极是12V(B),3.7V(E),3V(B)， D, NPN型管，对应电极是1.00mA(B),0.04mA(E),1.04mA(B)， E， PNP型管，对应电极是1.00mA(B),0.04mA(E),1.04mA(B), F， NPN型管，对应电极是1.00mA(C),0.04mA(B),1.04mA(E) . 5.当温度升高时，二极管的反向饱和电