溅射压强对直流磁控溅射制备ZnOGa透明导电薄膜特性的影.PDF

第?卷增刊 半导体学报 V01??28 ????? 2007??9?? CHINESE JoURNAL ? ??????? Sep????2007 ??????????????????????????ZnO??Ga???? ??????????????????* 马全宝 朱丽萍 叶志镇’何海平王敬蕊 胡少华 赵炳辉 (??????????????????????????????????310027) 摘要：通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓????篏?透明导电薄膜，研究了溅射压强对 ??篏?该鞯嫉绫∧そ峁埂⑿蚊埠偷绻庋?阅艿挠跋欤甔射线衍射结果表明，所制备的??篏?∧ぞ哂蠧轴 ????????????????????????SEM??????????ZnO??Ga??????????????????????????????????????????ZnO??Ga ??????????????????4??48??10??4Q??cm??????????????????????????????90???? ????????ZnO??Ga???????????????????????????????????????? ?????? 中图分类号：??：???? ????????????A文章编号：??·?????????? 度高、设备简单、易操作、可实现大面积镀膜，与其他 l 引言 制备技术相比，更有利于实现今后的工业化生产． 本文通过直流反应磁控溅射法制备出了高透过 透明导电氧化物?????? ????? ?— ??????????????ZnO??Ga???????????????????? ides)????????????????????????????????????????沉积压强对导电薄膜结构和光电特性的影响． 器件、非晶硅太阳能电池、光波导、传感器和平板液 晶显示器等领域得到了广泛的应用．在这类材料中， 2 实验 氧化锌???且恢挚斫??????膎型半导体 ??????????????????????????????????ITO??Sn02ZnO??Ga?????????????????????????????? 而言，具有价格便宜，沉积温度相对较低和在氢等离 射设备沉积而成的．系统的基础真空由机械泵和分 子体环境中稳定性好等优点，是一种最有希望替代 ????????3X