材料物理性能复习题库材物理性能复习题库.doc

材料物理性能复习题库材物理性能复习题库.doc

  1. 1、本文档共7页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
材料物理性能复习题库材物理性能复习题库

PAGE  材料物理性能习题与解答 材料的热学性能 2-1 计算室温(298K)及高温(1273K)时莫来石瓷的摩尔热容值,并请和按杜龙-伯蒂规律计算的结果比较。 当T=298K,Cp=a+bT+cT-2=87.55+14.96*10-3*298-26.68*105/2982 =87.55+4.46-30.04=61.97 *4.18J/mol.K 当T=1273K,Cp=a+bT+cT-2=87.55+14.96*10-3*1293-26.68*105/12732 =87.55+19.34-1.65=105.24*4.18J/mol.K=438.9 J/mol.K 据杜隆-珀替定律:(3Al2O3.2SiO4)Cp=21*24。94=523.74 J/mol.K 2-2 康宁1723玻璃(硅酸铝玻璃)具有下列性能参数:λ=0.021J/(cm.s.℃); α=4.6*10-6/℃;σp=7.0Kg/mm2.E=6700Kg/mm2,μ=0.25.求第一及第二热冲击断裂抵抗因子。 第一冲击断裂抵抗因子: ==170℃ 第二冲击断裂抵抗因子:=170*0.021=3.57 J/(cm.s) 2-6 NaCl和KCl具有相同的晶体结构,它们在低温下的Debye温度θD分别为310K和230K,KCl在5K的定容摩尔热容为3.8*10-2J/(K.mol),试计算NaCl在5K和KCl在2K的定容摩尔热容。 2-7 证明固体材料的热膨胀系数不因为含均匀分散的气孔而改变。 3 材料的光学性能 3-1.一入射光以较小的入射角i和折射角r通过一透明明玻璃板,若玻璃对光的衰减可忽略不计,试证明明透过后的光强为(1-m)2 解:W = W’ + W’’ 其折射光又从玻璃与空气的另一界面射入空气则 3-2 光通过一块厚度为1mm 的透明Al2O3板后强度降低了15%,试计算其吸收和散射系数的总和。 解: 3-3 有一材料的吸收系数α=0.32cm-1,透明光强分别为入射的10%,20%,50%及80%时,材料的厚度各为多少? 解: 3-4一玻璃对水银灯蓝、绿谱线λ=4358A和5461A的折射率分别为1.6525和1.6245,用此数据定出柯西Cauchy近似经验公式的常数A和B,然后计算对钠黄线λ=5893A的折射率n及色散率dn/dλ值。 解: 3-7.一光纤的芯子折射率n1=1.62,包层折射率n2=1.52,试计算光发生全反射的临界角θc. 解: 4 材料的电导性能 4-1 实验测出离子型电导体的电导率与温度的相关数据,经数学回归分析得出关系式为: 试求在测量温度范围内的电导活化能表达式。 若给定T1=500K,σ1=10-9(T2=1000K,σ2=10-6(计算电导活化能的值。 解:(1) = = W= 式中k= (2) B=-3000 W=-ln10.(-3)*0.86*10-4*500=5.94*10-4*500=0.594eV 4-3本征半导体中,从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n??近似表示为:式中N为状态密度,k为波尔兹曼常数,T为绝对温度。试回答以下问题: (1)设N=1023cm-3,k=8.6”*10-5eV.K-1时, Si(Eg=1.1eV),TiO2(Eg=3.0eV)在室温(20℃)和500℃时所激发的电子数(cm-3)各是多少: (2)半导体的电导率σ(Ω-1.cm-1)可表示为式中n为载流子浓度(cm-3),e为载流子电荷(电荷1.6*10-19C),μ为迁移率(cm2.V-1.s-1)当电子(e)和空穴(h)同时为载流子时,假定Si的迁移率μe=1450(cm2.V-1.s-1),μh=500(cm2.V-1.s-1),且不随温度变化。求Si在室温(20℃)和500℃时的电导率 解:(1) Si 20℃ =1023*e-21.83=3.32*1013cm-3 500℃ =1023*e-8=2.55*1019 cm-3 TiO2 20℃ =1.4*10-3 cm-3 500℃ =1.6*1013 cm-3 (2) 20 ℃=3.32*1013*1.6*10-19(1450+500) =1.03*10-2(Ω-1.cm-1) 500℃ =2.55*1019*1.6*10-19(1450+500)=7956 (Ω-1.cm-1) 4-6 一块n型硅材料,掺有施主浓度,在室温(T=300K)时本征载流浓度,求此时该块半导体的多数载流子浓度和少数载流子浓度。 4-10 300K时,锗的本征电阻率为47Ω.cm,如电子空求本征锗的载流子浓度分别为3900和1900.求本征锗的载流子浓度. 4-

您可能关注的文档

文档评论(0)

zyongwxiaj8 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档