ME8204 电源IC规格书.pdf

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ME8204 电源IC规格书

40W电源管理控制 IC ME8204 深圳市振华凌云科技有限公司 产品设计应用指导书 Item No.: 产品编号: ME8204 Product: 产品名称: 40W电源管理控制 IC Date: 日期: 2013/12/27 40W电源管理控制 IC ME8204 深圳市振华凌云科技有限公司 一、 芯片基本介绍 ME8204主要是适配器、充电器、开关电源、家电类、通讯类电源而设计的 一款高性能控制芯片。 主要特点: 1)低待机功耗:通过低功耗间歇工作模式设计,达到小于 100mW超低耗的性能。 2)无噪声工作:优化的芯片设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作。 3)更低启动电流:VDD启动电流低至 5uA,可有效地减少系统启动电路的损耗, 缩短系统的启动时间。 4)更低工作电流:工作电流约为 1.8mA, 可有效降低系统的损耗,提高系统的效 率。 5)内置前沿消隐:内置前沿消隐(LEB),可以节省一个外部的 R-C 网络,降低 系统成本。 6)内置良好的 OCP 补偿:内置了 OCP 补偿功能,使系统在不需要增加成本的 情况下轻易使得全电压范围内系统的 OCP曲线趋向平坦, 提高系统的性价比。 7)完善的保护功能:集成了完善的保护功能模块。OVP,UVLO,OCP,恒定的 OPP和外部可调节的 OTP功能可以使系统设计简洁可靠,同时满足安规的要求。 8)软启动功能:内置 4mS 软启动功能,可有效降低系统开机 MOS 管漏源之间电 压过冲。 9)较少的外围器件:外围比较简单,可有效提高系统的功率密度,降低系统的成 本。 10)优良的 EMI 特性: 内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统的 EMI 特 性 二、管脚定义 引脚名称 描述说明 GND 芯片地 FB 反馈输入引脚。 PWM 占空比取决于这个引脚电压等级和 SENSE 引脚输 入。 RT 过温保护设置脚 SENSE 电流检测输入引脚。连接到MOSFET的电流检测电阻器节点。 VDD 芯片直流电源引脚。 GATE 图腾柱栅极驱动输出的功率MOSFET。 40W电源管理控制 IC ME8204 深圳市振华凌云科技有限公司 三、功能框图 四、各脚的功能以及调试中注意事项: 1. 电源 VDD脚: ME8204 的启动电流低至 5uA,可有效地减少系统启动电路的损耗,缩短系统的启动时间。 启动电阻 RIN 的最大功率损耗: 在下图中,RIN 的最大功率损耗可以用下面的公式计算出来,公式如下: Vdc,max: 最大输入电压整流后的直流电压 V : 芯片正常工作的电压 40W电源管理控制 IC ME8204 深圳市振华凌云科技有限公司 2. FB反馈输入脚:了解该脚各电压门限相对应的系统工作状态对分析和优化系统设计非常 有帮助的。0.9V-1.0V为系统在轻载间歇模式下的 FB脚电压值,1.0V-3.7V为系统正常工作 时 FB脚电压值(该电压段对应的开关频率随电压增高频率增大,最大增高到 65K左右),3.7 V-4.2V为反馈环路开路,过功率保护,短路保护时 FB脚电压值。0.85V(典型值)以下 GATE 端输出被关闭,FB短路电流典型值为 0.3mA。当 FB脚电压持续 88mS大于 3.7V或小于 0.9V 时,GATE端立即关闭输出脉冲,保护整个系统的安全。 3. 电流检测 SENSE脚:开关电流经过一检测电阻流进 SENSE脚,进行 PWM调制。另外 内置一前沿消隐电路,可以为系统节省一外部 R-C网络。如前沿噪声超过前沿消隐时间导 致系统异常时,可以考虑外加 R-C网络,但是 R-C网络取值不宜过大(推荐 R-C网络的取 值为:R≤510?,C≤220PF没有特别的需要,不建议外接 R-C 网络),否则电流反馈信号失 真过大导致在启动和输出短路时MOS管 VDS过高等异常现象。 4. GATE驱动脚:ME8204采用图腾结构驱动输出,可直接驱动 MOSFET。同时芯片还内 置了一个 12V 的驱动输出嵌位电路,防止由于某种原因导致系统驱动输出电压过高使 MOSFET的栅极击穿。 5. RT 端应用及软启动电路:RT 端内部连接了一个恒流源, 该恒流源提供的

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