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第五章 1.表征湿度的方法有哪些？如何测量大气的相对湿度？ 空气中含有水蒸气的量称为湿度，含有水蒸气的空气是一种混合气体。主要有质量百分比和体积百分比、相对湿度和绝对湿度、露点（霜点）等表示法。测量方法：1。毛发湿度计 2。干湿球湿度计 3。湿度敏感元件： 2、电阻型湿敏传感器的湿度特征曲线有何特点？湿 滞回差的真实含义是什么？ 3.试比较电阻型湿敏器件和气敏器件的响应恢复特性有何异同？ 气敏响应和恢复表示器件接触和脱离气体时信号的变化快慢，湿敏器件分为吸湿响应和脱湿响应，器件并没有脱离湿度。 4.半导体陶瓷湿敏器件通常呈现高阻状态的原因是什么？ 5.在设计制作MgCr2O4-TiO2陶瓷湿敏器件时，应着重考虑哪些因素？ 6.画出Fe3O4涂覆膜湿敏器件的结构图，并说明其感湿机理？ 敏感机理： 1） Fe3O4感湿膜结构松散，微粒间的不紧密接触，产生很大的接触电阻。 2） 水分子吸附于微粒表面后，扩大了微粒间的接触面积，从而使接触电阻明显减小。 3）感湿机理 ：晶界的离子导电起主要作用。 7.试叙述聚苯乙烯磺酸锂湿敏元件的制作过程及相应的反应并说明其感湿机理 8.依据高分子电容式气敏器件结构说明其感湿机理。 9.掌握限流ZrO2湿敏器件的敏感机理。 同时要掌握限界电流型氧传感器。。130ye 1） ZrO2限电流湿敏器件中以多孔的Pt膜作为阴极，多孔阴极就起着限制氧扩散微孔的作用. 2） 高温湿度敏感器件在高温时，将水气电解而成O2，而生产O2的多少显然与环境中H2O分子通过小孔向阴极的扩散速率成正比。 3）可用限界电流式氧传感器测定相应的限界电流值大小并测量水气量即可知道湿度的大小. 第六章 2.试讨论制作多晶PbS光敏器件时，氧化过程对器件灵敏度的影响。 未氧化处理前，材料为N型。氧化处理中，在晶粒表面形成P型氧化层，不同导电类型的晶粒彼此交替形成高阻化的PbS多晶半导体。1）氧化不足时，P型很薄，材料与通常的N型半导体类似，具有较高的电阻率。2)氧化程度增加，P型厚度增加，形成较高的界面势垒，材料电阻很高。3)氧化程度继续增加，P型厚度远对于N型。（材料同普通的P型半导体一样，具有较高的电导率。经过适量氧化处理的多晶材料，光电导很大；而氧化不足或氧化过量的材料，光照前后势垒变化小，光电导现象不明显。 主要因素：、大，要求材料完整性好；，L小，G大，要求电极间距小。 4. 、 5. 6. 7. 8.以GaAs/Ga1-xAlxAs双异质结激光器为例，说明制作性能优良的激光器对材料的基本要求并说明原因。 1）ΔEg足够大，把载流子限制在发光区（GaAs中），ΔEg过大，缺陷增多，光损耗增大，ΔEg要求x≈0.3即可。 2）Δn足够大，将光充分限制在发光区中，Δn过大，缺陷增多，损耗加大，x≈0.3足够了。 从减小光损耗，提高发光效率要求： 1）发光层厚度适宜，一般为0.1μm，太厚太薄都使Jth增大。 2）要求所用材料晶格常数相近，可减小晶格失配产生的缺陷。 第七章 66 66666 7777 第八章 1.绘图说明在Si的[001]方向施加压力时，对材料的能带结构及电导将产生的影响。 1）[001]方向能谷降低，载流子数增多。 2）[010][100]方向能谷升高，填充载流子数减少。 3）虚线-受力，实线-受力前，虚线在内表能量升高，虚线在外表示能量降低。 4）[001]方向电导增大，[100][010]方向电导减小。 3.画出硅压阻式压力传感器的结构示意图并推导恒压源供电时，电桥输出（Vp）的表达式。 无外力时： （1） 有压力时： （2） 令：， （3） （4） 恒压源供电：R1,R3,是一对电阻，R2,R4是另一对电阻。 无力作用： （1） 若= = = =R0，=0 有外力作用时： 4．画出硅压力传感器的结构示意图，并推导恒流源供电的电桥输出电压（Vp）的表达式。（15分） 无外力时： （1） 有压力时： （2） 令：（纵向应变），（泊松比） （3） 可得， （4） 恒压源供电时：R1,R3,是一对电阻，R2,R4是另一对电阻。 无力作用：