【2017年整理】光电成像技术考点及解析.doc

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【2017年整理】光电成像技术考点及解析

基本术语: 光电成像技术(P2):采用各类光电成像器件完成成像过程的技术可以统称为光电成像技术。 像管(P8):直视型光电成像器件基本结构包括有:光电发射体、电子光学系统、微通道板(电子倍增器件)、荧光屏以及保持高真空工作环境的管壳等。这种成像器件通常简称为像管。 变像管(P8):接受非可见辐射图像的直视型光电成像器件统称为变像管。 像增强器(P8):接受微弱可见光图像的直视型光电成像器件统称为像增强器。 摄像器(P8):电视型光电成像器件用于电视摄像和热成像系统中,只完成摄像功能,不直接输出图像的器件,也称为非直视型光电成像器件或者摄像器件。 明适应、暗适应、凝视、凝视中心:P31-32 人眼的绝对视觉阈:P32.2 人眼的阈值对比度:P33.3 人眼的光谱灵敏度:光谱光视效率P34.4 人眼的分辨力:P34.5 图像的信噪比:P42的2-27 瞥见时间:P48的倒数第二段 瞥见孔径:P49的顺数第二行 辐射度量、辐射功率、辐度强度、辐亮度、辐照度、辐射出射度:P54 光度量、光能、光能密度、光通量:都在P58表3-3 光出射度:符号M、Mv,意义:光源单位面积向半球空间发射的光通量;定义式:,单位:; 照度:符号,意义:照射到表面一点处单位面积的光通量;定义式:,单位:lx; 发光照度:符号:,意义:在给定方向上,单位立体角内的光通量;定义式:,单位:cd; 光亮度:,意义:表面一点处的面元,在给定方向上发光强度除以该面元在垂直于给定方向上的投影面积;定义式:,单位:; 坎德拉:光源在给定方向上的发光强度,该光源发出频率为540*10∧12Hz的单色辐射,且在此方向上的辐射强度为1/163W/sr.cd(P58) 1流明lm(P58):光通量的单位,点光源在某一方向的发光强度为1cd时,在该方向单位立体角内传出的光通量。(P58) 1勒克司lx:1lm的光通量均匀分布在1平方米的面积所产生的照度称为1lx。(P58) 视见函数:P59 朗伯辐射体:P60 气溶胶粒子:P91 云、雾、霾、霭:云由水滴和冰晶两种粒子组成,液态云滴的半径约为一到一百微米,冰晶尺寸稍大。雾由靠近地面漂浮在空中的机细小水滴或冰晶组成,是一种近地层的云。通常把水平能见度小于一千米的近地层水汽凝结物称为雾,能见度在一到十千米的雾称为轻雾和霭。由于人类活动排放的烟尘,或者海上产生的人力漂浮于大气中的固态气溶胶系统称为霾。(P91~92) 大气消光:P94 大气散射:P99 大气吸收:P96 大气能见度(能见距度)(P101) 大气透明度(P101) 电子透镜(P123倒数第三段) 光电子图像:由光电发射的斯托列托夫定律可知,饱和光电发射的光电子流密度与入射辐射通量密度成正比。因此,由入射辐射分布构成的图像的可以通过光阴极变换成由变换成由正比光电子流分布构成的图像。(P123) 亮度增益:像管在标准光源照射下,荧光屏上的光出射度M与入射到阴极面上的照度Ev成正比。即 GL=M/Ev(倍)在(P132页) 等效背景照度:使荧光屏上亮度等于暗背景亮度值时的光阴极面上的输入值。(P134) 畸变、像管分辨力、正电子亲和势、负电子亲和势 光电发射的极限、电流密度、mcp的饱和电流密度 荧光:P185 磷光:P185 表面态:P146 微光夜视仪:P212 照明系统的光强分布:P224 成像系统的极限分辨力:P229~231 选通技术:243(底)~244 靶:P252(7.1节第二点) 惰性(上升惰性、衰减惰性):P258底部 摄像管的分辨力:P263(7.2.3节) 动态范围: 靶网: 居里温度:?居里点也称居里温度或磁性转变点,是指材料可以在铁磁体和顺磁体之间改变的温度,即铁磁体从铁磁相转变成顺磁相的相变温度。 热释电靶的单畴化:?热释电摄像管在工作时,靶必须处于自发电极化的状态,即电极化的极轴方向应垂直于靶面。通常在制靶时及靶产生退极化时,都要进行单畴化,使之形成最大的自发电极化强度。 ccd的开启电压;CCD开始产生沟道所需要的栅压就是开启电压。 ccd的转移效率界面态:界面态即界面陷阱电荷,主要是指Si-SiO2界面处处于禁带中的局部能级,它可在短时间与衬底半导体交换电荷,是表面复合和散射的主要成因,它主要是对表面沟道的CCD的转移效率产生重大影响。 “胖0”工作模式:用一定数量的基底电荷先将界面态填满,当信号电荷注入时,信号电荷被俘获的几率变小,而从界面态释放出来的电荷又可以跟上原来的电荷包。信号电荷包损失到界面态中去的电荷,可能与它从界面态得到的电荷相等,从而在一定程度上减少了界面态带来的影响。 光注入、电注入 二、几个重要效应 光电转换效应:是书上138页的光电子发射的三步 热释电:P281 三环效应:P195 mcp的电阻效应/充电效应:

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