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【2017年整理】光电技术基本名词解释
光电技术最基本的理论:光的波粒二象形。光的本质是物质,它具有粒子性,又称为光量子或光子。光子的动量(p=hv/c)与能量(E=hv=hc/入=1.24/入)。
光辐射的度量方法:一物理(或客观)的计量方法,称为辐射度学计量方法或辐射度参数,它适用于整个电磁辐射谱区对辐射量进行物理的计算;二 生理(主观)的计量方法,是以人眼所能见到的光对大脑的刺激程度来对光进行计量的方法,称为光度参数。
辐射能(Qe):以辐射形式发射、传播和接受的能量。单位:(J)。
光能(Qv):光通量在可见光范围内对时间的积分。单位:流明秒(lm.s)。
辐通量(Φe=dQe/dt):在单位时间内,已辐射形式发射、传播或接受的辐能。单位:瓦(W)。
光通量(Φv=dQv/dt):对可见光,光源表面在无穷小时间段内发射、传播或接收的所有可见光谱,其光能被无穷短时间间隔dt来除,其商定义为光通量。单位:流明(lm)。
辐出度(Me=dΦe/dA):对面积为A的有限面光源,表面某点处的面元向半球面空间内发射的辐通量dΦe与该面元面积dA之比。单位:瓦每平方米【W/㎡】。
光出度(Mv=dΦv/dA):对于可见光,面光源A表面某一点处的面元向半球面空间发射的光通量dΦv,与面元面积dA之比。单位:勒克司【lx】。
辐强度(Ie=dΦe/dΩ):对点光源在给定方向的立体角元dΩ内发射的辐通量dΦe,与该方向立体角元dΩ之比,定义为点光源在该方向的辐强度Ie。单位:瓦每球面度【W/sr】。
发光强度Iv=dΦv/dΩ.单位:坎德拉【cd】(在给定方向上能发射540×1012Hz的单色辐射源,在此方向上的辐强度为1/683(W/sr),其发光强度定义为1cd)。
立体角:以S为原点作一半径为r的球面,则此立体角的边界在球面上所截面积为dS。这一点向所有方向的全部空间的立体角(dΩ=4π)。
辐亮度(Le=d2Φe/dΩdAcosθ):光源表面某一点处的面元在给定方向的辐强度,除以该面元在垂直于给点方向平面上的正投影面积。
光亮度(Lv=dIv/dAcosθ):光源表面的某一点处的面元在给定方向上的发光强度,除以该面元在垂直给定方向平面上的正投影面积。
余弦辐射体:若福亮度Le、光亮度Lv与光源发射辐射的光源无关,且由 Le= dIe/dAcosθ=d2Φe/dΩdAcosθ 、 Lv=dIv/dAcosθ= Le=d2Φv/dΩdAcosθ表示,则这样的光源称为余弦辐射体或郎伯辐射体。
辐亮度Le、光亮度Lv与辐出度Me、光出度Mv的关系:Le=Me/π; Lv=Mv/π。
光源的辐射效率ηe:光源所发射的总辐通量Φe与外界提供给光源的功率P之比:ηe=Φe/P*100﹪ 无量纲;
发光效率ηv:光源所发射的总光通量Φv与提供的功率P之比;ηv=Φv/P*100﹪ 计量单位流明每瓦(lm/W);
光谱辐射量是该辐射量在波长处的单位波长间隔内的大小,又叫辐射量得广谱密度,是辐射量随波长的变化率。
辐照度:将照射到物体表面某一点处面元的辐通量dΦe除以该面元的面积dA的商。ée=dΦe/dA 计量单位瓦每平方米(W/㎡)。
光照度év:对可见光,用照射到物体表面某一面元的光通量,处以该面元面积的商。év=dΦv/dA 计量单位(lx).
热辐射:物体靠加热保持一定温度使内能不变而持续辐射的辐射形式,称为物体热辐射或温度辐射。凡能发射连续光谱,且辐射是温度的函数的物体,叫做热辐射体。
发光:物体不是靠加热保持温度使辐射维持下去,而是靠外部能量激发的辐射,称为发光。
黑体:能够吸收从任何角度入射的任意波长的辐射,并且在每一个方向上都能最大限度的发射任意波长辐射能的物体。
辐射温度:当热辐射体发射的总辐通量与黑体的总辐通量相等时,以黑体的温度标度该热辐射体的温度。
色温:当热辐射体在可见光区域发射的光谱辐射分布与某黑体的可见光谱辐射分布相同时,以黑体的温度来标度该热辐射体得温度。
亮温度:当热辐射体在可见光区某一波长的辐亮度,等于黑体在同一波长的辐亮度时以黑体温度来标度该热辐射体得温度。
本征吸收:半导体价带电子吸收光子能量跃迁入导带,产生电子——空穴对的现象。发生本征吸收的条件:光子能量必须大于半导体的禁带宽度。
杂质吸收:杂质半导体吸收足够能量的光子,产生电离的过程。
激子吸收:当入射到本征半导体上的光子能量小于半导体的禁带宽度,或入射到杂质半导体上的光子能量小于杂质电离能时,电子不产生能带间的跃迁成为自由载流子,仍受原来束缚电荷的约束而处于受激状态。这种处于受激状态的电子叫激子。吸收光子的能量产生激子的现象叫激子吸收。
自由载流子吸收:对一般半导体材料,当入射光子的频率不够高,不足以引起电子产生能带间的跃迁或形成激子时,仍然存在着吸引,而且其强度随波长的增长而增强。
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