电路与电子学基础基本放大电路实验报告..doc

电路与电子学基础基本放大电路实验报告..doc

  1. 1、本文档共13页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
《电路与电子学基础》实验报告 实验名称 基本放大电路电路 班 级 学 号 姓 名 实验5 基本放大电路电路 实验5.1 NPN三极管分压偏置电路 一、实验目的 1.测量NPN管分压偏置电路的静态工作点。 2.估算电路的基极偏压Vb,并比较测量值与计算值。 3.估算发射极电流Ie和集电极电流Ic,并比较测量值与计算值。 4.估算集-射电压Vce,并比较测量值与计算值。 5.根据电流读数估算直流电流放大系数β。 6.测试分压偏置电路的稳定性。 二、实验器材 2N3904 NPN三极管 1个 20V直流电源 1个 直流电压表 2个 0~10mA直流电流表 2个 0~50μA直流电流表 1个 电阻 660Ω 1个 2KΩ 2个 10KΩ 1个 三、实验准备 NPN管分压式偏置电路如图5-1所示。在晶体管的输出特性曲线上,直流负载线与横轴的交点为集电极电流等于零时的集-射电压Vceo=Vcc,与纵轴的交点为集-射电压等于零时的集电极电流Ico=Vcc/(Rc+Re)。 图5-1 分压式偏置电路 放大器的静态工作点Q一般位于直流负载线的中点附近,由静态集电极电流Icq和静态集-射电压Vceq确定。当流过上偏流电阻R1和下偏流电阻R2的电流远远大于基极电流时,基极偏压Vb由R2和R1的分压比确定 Vb=R2Vcc/(R1+R2) 发射极电流Ie可用发射极电压Ve 除以发射极电阻Re求出,而Ve=Vb-Vbe,所以 Ie=(Vb-Vbe)/Re 静态电集电极Icq近似等于发射极电流Ie Icq=Ie-Ib≈Ie 静态集-射电压Vceq可用克希霍夫电压定律计算,因此 Vcc=IcRc+Vceq+IeRe 因为Icq=Ie,所以 Vceq≈Vcc-Icq(Rc+Re) 晶体管的直流电流放大系数β可用静态集电极电流与基极电流之比来计算 β=Icq/Ibq 四、实验步骤 1.在EWB平台上建立如图5-1所示的分压式偏置电路。单击仿真电源开关,激活电路进行动态分析。 2.记录集电极电流Icq,发射极电流Ie,基极电流Ibq,集-射电压Vceq和基极电压Vb的测量值。 Icq=3.828mA Ie=3.847mA Ibq=18.88uA Vceq=9.806V Vb=3.296V 3.估算基极偏压Vb,并比较计算值与测量值。 Vb=R2Vcc/(R1+R2)=3.333V 近似相等 4.取Vbe的近似值为0.7V,估算发射极电流Ie和集电极电流Icq,并比较计算值和测量值。 Ie=(Vb-Vbe)/Re=(3.33-0.7)/0.66=3.989mA 测量值:Ie=3.847mA 近似相等 Icq=Ie*β/(β+1)=3.969mA 测量值:Icq=3.828mA 近似相等 5.由Icq估算集-射电压Vceq,并比较计算值和测量值。 Vceq=Vcc-Icq(Rc+Re)=10V 测量值 Vceq=9.806V 近似相等 6.由Icq和Ibq估算电流放大系数β。 β=Icq/Ibq=202.75 7.单击晶体管T,下拉电路菜单CiRcuit选择模式命令Model,选中晶体管2N3904。在出现的晶体管模式对话框中单击编辑按钮Edit,则可显示2N3904的参数表。将表中的F

文档评论(0)

wuyuetian + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档