PECVD返工工艺.docVIP

旧底图总号 底 图 总 号 日 期 签 名 旧底图总号 底 图 总 号 日 期 签 名 SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 PECVD返工 工位编号 PECVD 需要人数 第 张共 张 流向 PECVD 1. 目 的： 确保SiN减反膜的厚度和折射率处于受控状态 2. 使用范围： PECVD之后SiN膜的厚度不均匀或膜厚偏离正常范围的电池片。 内 容： 把需要返工的电池片放入片盒，注意扩散面和非扩散面，不要放反； 在一次清洗7号槽中配置5%的HF酸溶液，； 把返工片放入7号槽溶液中腐蚀10~12min，注意观察表面的蓝色SiN是否消失，如果蓝色薄膜难以去除，可以适当在加一点HF，达到去除蓝色薄膜的目的； 待蓝色消失后，进行漂洗，盐酸清洗，漂洗，喷淋，甩干，其工艺参数同一次清洗的对应工艺； 进行上述工艺之后，可抽测硅片的方块电阻，如在正常范围即可进行PECVD镀膜，工艺同PECVD正常工艺。如果方块偏高，则表明pn结被腐蚀，需重新扩散。 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 签 名 日 期 第1页 拟 制 审 核 共 页 标准化 批 准 SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 PECVD 工位编号 PECVD 需要人数 第 张共 张 流向 SWYS 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 签 名 日 期 第2页 拟 制 审 核 共2页 标准化 批 准