- 1、本文档共129页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
2.最高工作频率 fM fM —— 功率增益等于1时的频率; 栅-沟道电容CGC 当栅-源之间输入交流信号之后,从栅极增加流进沟道的载流子分成两部分,其中一部分对栅-沟道电容CGC充电,另一部分径直通过沟道流进漏极,形成漏-源输出电流。 当信号频率? 增加,流过CGC的信号电流增加,从源流入沟道的载流子用于增加栅沟道电容充电的部分,直至? 增大到足够大,使全部沟道电流用于充电,则漏极输出信号为0,即流入电容CGC的电流等于输入信号引起的沟道电流时的频率? 是管的最高工作频率? M 。 管跨导愈大,最高工作频率愈高; 栅极-沟道电容CGC愈小,最高工作频率也愈高; 管的高频优值 gm/CGC ——衡量管的高频特性,比值愈高, 高频特性愈好。 提高fM ,从结构方面应当使沟道长度缩短到最低限度,也必须尽可能增大电子在沟道表面的有效迁移率?n。 硅材料电子迁移率?n比空穴迁移率?p大 。 n ?M = 2? fM 4.6 MOS管的开关特性(Switching feature) 开关状态——管主要工作在两个状态,导通态和截止态; 两种开关特性——本征与非本征开关延迟特性; 本征延迟:载流子通过沟道的传输所引起的大信号延迟; 非本征延迟:被驱动的负载电容充-放电以及管之间的RC延迟; MOS管用来构成数字集成电路,如 构成触发器、存储器、移位寄存器等等。构成的集成电路功耗小、集成度高。 4.6.1 MOS管瞬态开关过程 开关等效电路 开和关状态转换即在截止区和可变电阻区间来回切换,且受UGS控制 非本征开关过程 (外部状态影响) 电阻负载倒相器 负载电阻 负载电容 电源 IDS 阶跃信号 (方波) (1)开通过程 延迟时间 上升时间 延迟过程——输入栅压UGS增加,信号UG(t)向栅电容CGS和CGD充电,随着栅压增加,经过一定的延迟,栅电容CGS上的栅压达到阈值电压UT 时,输出电流开始出现; 上升过程——UGS超过UT 时,进入线性工作区,UG(t)使反型沟道厚度增厚,电流开始迅速增大;在上升时间tr结束时,电流达到最大值,栅压达到UGS2 ; 延迟 UT 理想开波形 UGS2 为什么输入方波, 而实际如此变化? (2)关断过程 储存时间 下降时间 储存过程——去掉栅压,栅电容CGS放电,栅压UGS下降,当UGS下降到上升时间结束时的栅压UGS2时,电流才开始下降;也是管退出饱和的时间; 下降过程——储存时间结束后,UGS继续放电,栅压UGS从UGS2进一步下降,反型沟道厚度变薄,电流快速下降,当UGS小于UT 后,管截止,关断过程结束; 延迟 理想关波形 UT UGS2 非本征开关时间 栅峰值电压 输入电容 电流脉冲发生器的内阻 开通和关断时间近似相等 ton= toff 非本征开关时间受负载电阻RL、负载电容CL、栅峰值电压UGG以及电容和电阻的影响,减小栅电容及电阻值是很重要的。 4.6.2 MOS管瞬态开关时间计算 本征延迟开关过程 定义:本征延迟过程的时间是栅极加上阶跃电压,使沟道导通,漏极电流上升到与导通栅压对应的稳态值所需要的时间。 载流子渡越沟道长度,该过程与传输的电流的大小和电荷的多少有关,与载流子漂移速度有关,漂移速度越快,本征延迟的过程越短。 在线性区,UDS →0 时,本征开通延迟时间 饱和区本征开通延迟时间 减小沟道长度是减小开关时间的主要方法; 沟道不太长,本征开通延迟时间较短。如L = 5?m,?n = 60cm2/(V·s)的NMOS管,UDS = UGS ?UT = 5V时,tch只有111ps。 一般说来,若沟道长度小于5?m,则开关速度主要由负载延迟决定。对于长沟管,本征延迟与负载延迟可相比拟,甚至超过。 4.7 MOS管的二级效应——理想结果的修正 二级效应——非线性、非一维、非平衡等因素对I-V特性产生的影响,它们包括:非常数表面迁移率效应、体电荷效应、短沟道效应、窄沟道效应等。 4.7.1 非常数表面迁移率效应 实际情况,MOS管表面载流子的迁移率与表面的粗糙度、界面的陷阱密度、杂质浓度、表面电场等因素有关。 电子表面迁移率的范围为550~950 cm2/(V·s),空穴表面迁移率的范围为150~250 cm2/(V·s),电子与空穴迁移率的比值为2~4。 在低栅极电压情况下测得,即UGS仅大于阈值电压1~2V。 当栅极电压较高时,发现载流子迁移率下降,这是因为UGS 较大时,垂直于表面的纵向电场也较大,载流子在沿沟道作漂移运动时与Si-SiO2界面发生更多的碰撞,使迁移率
您可能关注的文档
- 班干部竞选课题.ppt
- 班会-诚信-做人的根本课题.ppt
- 班会小学生饮食与健康课题.ppt
- Word文档的页码编排课题.ppt
- Word文档排版一-4课题.ppt
- word中的表格编辑课题.ppt
- wo开花结果课题.ppt
- 大脑的结构与功能解答.ppt
- wo语文园地二课题.ppt
- wo真菌的控制和利用___冀教版课题.ppt
- 2024高考物理一轮复习规范演练7共点力的平衡含解析新人教版.doc
- 高中语文第5课苏轼词两首学案3新人教版必修4.doc
- 2024_2025学年高中英语课时分层作业9Unit3LifeinthefutureSectionⅢⅣ含解析新人教版必修5.doc
- 2024_2025学年新教材高中英语模块素养检测含解析译林版必修第一册.doc
- 2024_2025学年新教材高中英语单元综合检测5含解析外研版选择性必修第一册.doc
- 2024高考政治一轮复习第1单元生活与消费第三课多彩的消费练习含解析新人教版必修1.doc
- 2024_2025学年新教材高中英语WELCOMEUNITSectionⅡReadingandThi.doc
- 2024_2025学年高中历史专题九当今世界政治格局的多极化趋势测评含解析人民版必修1.docx
- 2024高考生物一轮复习第9单元生物与环境第29讲生态系统的结构和功能教案.docx
- 2024_2025学年新教材高中英语UNIT5LANGUAGESAROUNDTHEWORLDSect.doc
最近下载
- 第12课 新文化运动 课件(23张PPT).pptx
- 机载临时支护装置安装使用说明书.docx
- 中国基本国情教案(汉语国际教育).docx
- 人教版数学二年级上册第五单元《观察物体(一)》大单元整体教学设计.doc
- 第2章 直线与圆的位置关系 复习课.doc VIP
- 中职学校《金属加工与实训》全套电子教案(含教学进度计划)(配套教材:高教版中职统编)云天课件( word 版).docx
- 程家惠《洋话汉音》(升级版).doc
- onbon仰邦科技 六代三基色控制器 BX-6K系列 规格书 本压缩包包含BX-6K1、6K2、 6K3、6K4-T08、6K4-T12 5个产品的规格书。说明书用户手册.pdf
- 职业生涯规划书ppt职业生涯规划书ppt.ppt
- 卡拉OK数码功放KMA-1080KMA-980中文使用说明书.pdf
文档评论(0)