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2.最高工作频率 fM fM —— 功率增益等于1时的频率; 栅-沟道电容CGC 当栅-源之间输入交流信号之后,从栅极增加流进沟道的载流子分成两部分,其中一部分对栅-沟道电容CGC充电,另一部分径直通过沟道流进漏极,形成漏-源输出电流。 当信号频率? 增加,流过CGC的信号电流增加,从源流入沟道的载流子用于增加栅沟道电容充电的部分,直至? 增大到足够大,使全部沟道电流用于充电,则漏极输出信号为0,即流入电容CGC的电流等于输入信号引起的沟道电流时的频率? 是管的最高工作频率? M 。 管跨导愈大,最高工作频率愈高; 栅极-沟道电容CGC愈小,最高工作频率也愈高; 管的高频优值 gm/CGC ——衡量管的高频特性,比值愈高, 高频特性愈好。 提高fM ,从结构方面应当使沟道长度缩短到最低限度,也必须尽可能增大电子在沟道表面的有效迁移率?n。 硅材料电子迁移率?n比空穴迁移率?p大 。 n ?M = 2? fM 4.6 MOS管的开关特性(Switching feature) 开关状态——管主要工作在两个状态,导通态和截止态; 两种开关特性——本征与非本征开关延迟特性; 本征延迟:载流子通过沟道的传输所引起的大信号延迟; 非本征延迟:被驱动的负载电容充-放电以及管之间的RC延迟; MOS管用来构成数字集成电路,如 构成触发器、存储器、移位寄存器等等。构成的集成电路功耗小、集成度高。 4.6.1 MOS管瞬态开关过程 开关等效电路 开和关状态转换即在截止区和可变电阻区间来回切换,且受UGS控制 非本征开关过程 (外部状态影响) 电阻负载倒相器 负载电阻 负载电容 电源 IDS 阶跃信号 (方波) (1)开通过程 延迟时间 上升时间 延迟过程——输入栅压UGS增加,信号UG(t)向栅电容CGS和CGD充电,随着栅压增加,经过一定的延迟,栅电容CGS上的栅压达到阈值电压UT 时,输出电流开始出现; 上升过程——UGS超过UT 时,进入线性工作区,UG(t)使反型沟道厚度增厚,电流开始迅速增大;在上升时间tr结束时,电流达到最大值,栅压达到UGS2 ; 延迟 UT 理想开波形 UGS2 为什么输入方波, 而实际如此变化? (2)关断过程 储存时间 下降时间 储存过程——去掉栅压,栅电容CGS放电,栅压UGS下降,当UGS下降到上升时间结束时的栅压UGS2时,电流才开始下降;也是管退出饱和的时间; 下降过程——储存时间结束后,UGS继续放电,栅压UGS从UGS2进一步下降,反型沟道厚度变薄,电流快速下降,当UGS小于UT 后,管截止,关断过程结束; 延迟 理想关波形 UT UGS2 非本征开关时间 栅峰值电压 输入电容 电流脉冲发生器的内阻 开通和关断时间近似相等 ton= toff 非本征开关时间受负载电阻RL、负载电容CL、栅峰值电压UGG以及电容和电阻的影响,减小栅电容及电阻值是很重要的。 4.6.2 MOS管瞬态开关时间计算 本征延迟开关过程 定义:本征延迟过程的时间是栅极加上阶跃电压,使沟道导通,漏极电流上升到与导通栅压对应的稳态值所需要的时间。 载流子渡越沟道长度,该过程与传输的电流的大小和电荷的多少有关,与载流子漂移速度有关,漂移速度越快,本征延迟的过程越短。 在线性区,UDS →0 时,本征开通延迟时间 饱和区本征开通延迟时间 减小沟道长度是减小开关时间的主要方法; 沟道不太长,本征开通延迟时间较短。如L = 5?m,?n = 60cm2/(V·s)的NMOS管,UDS = UGS ?UT = 5V时,tch只有111ps。 一般说来,若沟道长度小于5?m,则开关速度主要由负载延迟决定。对于长沟管,本征延迟与负载延迟可相比拟,甚至超过。 4.7 MOS管的二级效应——理想结果的修正 二级效应——非线性、非一维、非平衡等因素对I-V特性产生的影响,它们包括:非常数表面迁移率效应、体电荷效应、短沟道效应、窄沟道效应等。 4.7.1 非常数表面迁移率效应 实际情况,MOS管表面载流子的迁移率与表面的粗糙度、界面的陷阱密度、杂质浓度、表面电场等因素有关。 电子表面迁移率的范围为550~950 cm2/(V·s),空穴表面迁移率的范围为150~250 cm2/(V·s),电子与空穴迁移率的比值为2~4。 在低栅极电压情况下测得,即UGS仅大于阈值电压1~2V。 当栅极电压较高时,发现载流子迁移率下降,这是因为UGS 较大时,垂直于表面的纵向电场也较大,载流子在沿沟道作漂移运动时与Si-SiO2界面发生更多的碰撞,使迁移率
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