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如何理解场效应管的原理,大多数书籍和文章都讲的晦涩难懂,给初学的人学习造成很大的难度,要深入学习就越感到困难,本人以自己的理解加以解释,希望对初学的人有帮助,即使认识可能不是很正确,但对学习肯定有很大的帮助。
场效应管的结构
场效应管是电压控制器件,功耗比较低。而三极管是电流控制器件,功耗比较高。但场效应管制作工艺比三极管复杂,不过可以做得很小,到纳米级大小。所以在大规模集成电路小信号处理方面得到广泛的应用。对大电流功率器件处理比较困难,不过目前已经有双场效应管结构增加电流负载能力,也有大功率场管出现,大有取代三极管的趋势。场效应管具有很多比三极管优越的性能。
结型场效应管的结构
结型场效应管又叫JFET,只有耗尽型。
这里以N沟道结型场效应管为例,说明结型场效应管的结构及基本工作原理。图为N沟道结型场效应管的结构示意图。在一块N型硅,材料(沟道)上引出两个电极,分别为源极(S)和漏极(D)。在它的两边各附一小片P型材料并引出一个电极,称为栅极(G)。这样在沟道和栅极间便形成了两个PN结。当栅极开路时,沟道相当于一个电阻,其阻值随型号而不同,一般为数百欧至数千欧。如果在漏极及源极之间加上电压UDs,就有电流流过,ID将随UDS的增大而增大。如果给管子加上负偏差UGS时,PN结形成空间电荷区,其载流子很少,因而也叫耗尽区(如图a中阴影区所示)。其性能类似于绝缘体,反向偏压越大,耗尽区越宽,沟道电阻就越大,电流减小,甚至完全截止。这样就达到了利用反向偏压所产生的电场来控制N型硅片(沟道)中的电流大小的目的。
注:实际上沟道的掺杂浓度非常小,导电能力比较低,所以有几百到几千欧导通电阻。而且是PN结工作在反向偏置的状态。刚开机时,如果负偏置没有加上,此时ID是最大的。
特点:1,GS和GD有二极管特性,正向导通,反向电阻很大
2:DS也是导通特性,阻抗比较大
3:GS工作在反向偏置的状态。
4:DS极完全对称,可以反用,即D当做S,S当做D。
从以上介绍的情况看,可以把场效应管与一般半导体三极管加以对比,即栅极相当于基极,源极相当于发射极,漏极相当于集电极。如果把硅片做成P型,而栅极做成N型,则成为P沟道结型场效应管。结型场效应管的符号如图b所示。
符号:
箭头的方向仍然是PN结正向导通的方向。
绝缘栅场效应管MOSFET
结型虽然电压控制方式,但是仍然有少子的飘移形成电流。绝缘栅场效应管是栅极与衬底完全绝缘,所以叫绝缘栅场效应管。
绝缘栅型场效应晶体管在集成电路中被广泛使用,绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)分为增强型和耗尽型两大类,每类中又有N沟道和P沟道之分,N沟道又叫PMOS管,P沟道又叫NMOS管。不象双极型晶体管只有NPN和PNP两类,场效应晶体管的种类要多一些。但是它们的工作原理基本相同,所以下面以增强型N沟道场效应晶体管为例来加以说明。
绝缘栅型场效应三极管MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为
增强型 ? N沟道、P沟道
耗尽型 ? N沟道、P沟道
N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见图4.1。其中:
D(Drain)为漏极,相当c;
G(Gate)为栅极,相当b;
S(Source)为源极,相当e。
(衬底断开是是指两个N区没有相连。如果两个相连,靠改变沟道的宽度来控制电流就是耗尽型)
制作过程:
取一块P型半导体作为衬底,用B表示。 用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层。
然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N型区。从而形成两个PN结。(绿色部分)
从N型区引出电极,一个是漏极D,一个是源极S。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。
N沟道增强型MOSFET的符号如图所示。左面的一个衬底在内部与源极相连,右面的一个没有连接,使用时需要在外部连接。
(衬底在内部与源极相连,所以绝缘栅MOSFET的D、S极是不能互换的。箭头的方向仍然是衬底和S极和D极的PN结方向,而栅极没有半导体,只是电容器的一个极板。而结型的箭头是栅极向S极和D极的PN结方向,这就是为什么同样是N沟道,结型和绝缘栅型的箭头
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